时间：2025/7/16 15:15:51
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RFM4N35是一款高性能的N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件专为高频开关应用设计，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等场景。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高效能功率转换的理想选择。
RFM4N35采用TO-220封装形式，能够承受较高的电压和电流，同时具备良好的热性能表现。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：39nC
开关速度：快速
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55℃至+175℃
RFM4N35的主要特点是其出色的导通电阻和低栅极电荷，这使得它在高频应用中表现出较低的功耗和更高的效率。
此外，该器件具有强大的雪崩能力，可以有效保护电路免受过压冲击的影响。
其高耐温范围确保了即使在极端环境条件下也能稳定运行。
由于采用了先进的制造工艺，RFM4N35还具备较高的可靠性和一致性，非常适合大批量生产需求。
综合来看，这款MOSFET凭借其优异的电气性能和可靠性，是许多工业及消费类电子产品的理想选择。
RFM4N35广泛应用于各类电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
- 开关电源（SMPS）
- 电机控制与驱动
- 汽车电子系统中的负载切换
- 可再生能源系统的逆变器
- 电池管理系统（BMS）中的充放电控制
由于其高效的开关特性和大电流承载能力，RFM4N35特别适合需要高功率密度和高效率的应用场景。
IRFZ44N, STP18NF50, FDP5500
