时间：2025/9/1 9:07:41
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IS61WV5128EDBLL-10TLI-TR是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）生产的高速、低功耗的CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片容量为512K x 8位，适用于需要高性能数据存储的嵌入式系统、网络设备、工业控制和通信设备等领域。IS61WV5128EDBLL-10TLI-TR采用CMOS技术，具有高速访问时间（10ns），并支持低电压操作，通常工作电压为2.3V至3.6V，适用于多种电源环境。
容量：512K x 8位
访问时间：10ns
电压范围：2.3V - 3.6V
封装类型：TSOP
引脚数：54
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装尺寸：54-TSOP
读取电流（最大）：200mA
待机电流（典型）：10mA
数据输出类型：三态输出
控制信号：CE#, OE#, WE#
IS61WV5128EDBLL-10TLI-TR具备多项优异特性，首先其高速访问时间为10ns，使得该芯片能够在高频应用中提供稳定的数据存取性能。该SRAM采用低功耗CMOS技术，在待机模式下电流消耗极低，有助于延长电池供电设备的使用寿命。此外，该器件支持宽电压范围（2.3V至3.6V），使其在不同电源条件下均能稳定运行，提高了系统的兼容性和灵活性。
该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，适用于严苛环境下的应用，如工业自动化控制、车载电子系统等。封装方面，该芯片采用54引脚TSOP封装，体积小巧，便于PCB布局，并支持表面贴装工艺，适用于大规模自动化生产。
IS61WV5128EDBLL-10TLI-TR具备三态输出功能，可有效避免总线冲突，提高系统稳定性。其控制信号包括芯片使能（CE#）、输出使能（OE#）和写使能（WE#），能够灵活配合各种微控制器或FPGA进行数据读写操作。
IS61WV5128EDBLL-10TLI-TR广泛应用于对存储容量和存取速度有较高要求的嵌入式系统，如工业控制器、通信设备、路由器、交换机、测试仪器、医疗设备、智能卡终端以及汽车电子系统等。其低功耗和宽电压特性也使其适用于便携式设备和电池供电系统。在FPGA或CPLD系统中，该SRAM常用于高速缓存或数据缓冲存储器，提升整体系统性能。此外，该芯片也可用于图像处理设备、音频/视频流媒体设备以及高速数据采集系统等。
CY62148EVLL-10ZSXI, IS62WV5128EDBLL-10BLLI-TR, IDT71V416SA10PFG, ISSI IS61LV2568ALBLL-10TLI
