IS61WV5128BLL-10KLI-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速异步静态随机存取存储器(Static RAM,SRAM)。该芯片具有512K位的存储容量,组织结构为512K x 8位,适用于需要快速数据访问和高可靠性的应用场合。该型号属于低功耗SRAM系列,适用于工业级温度范围(-40°C至+85°C),因此在工业控制、通信设备和嵌入式系统中广泛使用。
容量:512K x 8位
电源电压:2.3V 至 3.6V
访问时间:10ns
封装类型:TSOP
工作温度:-40°C 至 +85°C
封装引脚数:54
接口类型:并行
读取电流(最大):160mA
待机电流(最大):10mA
IS61WV5128BLL-10KLI-TR 采用了先进的CMOS技术,以实现高速和低功耗操作。其主要特性包括高速访问时间(10ns),能够满足高性能嵌入式系统和实时数据处理的需求。该芯片支持异步操作,无需时钟信号,简化了设计和接口逻辑。此外,它具备宽电压工作范围(2.3V 至 3.6V),增强了在不同电源环境下的兼容性,适用于多种供电系统。其低待机电流(最大10mA)特性使其适用于对功耗敏感的应用,如便携式设备和电池供电系统。
该芯片采用54引脚TSOP封装,便于表面贴装,节省PCB空间,并增强了抗干扰能力。同时,其工业级温度范围确保了在恶劣环境下的稳定运行,提升了系统的整体可靠性。ISSI在SRAM设计和制造方面拥有丰富的经验,该芯片在性能、功耗和可靠性方面达到了良好的平衡。
IS61WV5128BLL-10KLI-TR SRAM芯片广泛应用于多个领域,包括但不限于工业控制系统、通信设备、网络路由器、嵌入式系统以及测试与测量设备。在工业控制中,该芯片可用于高速数据缓存,确保实时响应;在通信设备中,可作为临时数据存储器,提高数据传输效率;在嵌入式系统中,常用于需要快速读写和低延迟的场景,如图形显示缓存或高速缓冲存储器。此外,由于其低功耗和高可靠性,也适用于便携式设备及远程监控系统等。
CY62148EVLL-45ZE, IS62WV5128BLL-10KLI-TR, IDT71V016SA10PFG, SST39LF800A-70-4C-NHE-T