IS61WV51232BLL-10BLI-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件具有512K x 32位的存储容量,适用于需要高速数据访问和低延迟的应用场合。该芯片采用CMOS工艺制造,具有高性能和低功耗的特点。IS61WV51232BLL-10BLI-TR 采用54引脚TSOP封装,工作温度范围为工业级 -40°C 至 +85°C,适合在各种工业和通信设备中使用。
存储容量:512K x 32位
访问时间:10ns
工作电压:2.3V 至 3.6V
封装类型:54-TSOP
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装尺寸:约 18.4mm x 12.0mm
接口类型:并行异步接口
最大工作频率:100MHz(对应10ns访问时间)
功耗(典型值):约 200mA(待机模式下显著降低)
IS61WV51232BLL-10BLI-TR 是一款高性能的异步SRAM,其主要特性包括高速访问时间(10ns),适用于需要快速数据读写的应用场景。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,确保了低功耗和高稳定性。其异步接口设计允许直接与多种处理器和控制器连接,而无需额外的时序控制逻辑,从而简化了系统设计。
该SRAM芯片支持全地址/数据异步访问模式,具备独立的片选(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE)控制信号,使得读写操作更加灵活。此外,它还支持低功耗待机模式,在CE和OE均为高电平时自动进入低功耗状态,适合对功耗敏感的应用。
在可靠性方面,IS61WV51232BLL-10BLI-TR 采用工业级温度范围设计(-40°C 至 +85°C),能够在各种恶劣环境下稳定运行。其54-TSOP封装形式具有较小的体积,适合空间受限的嵌入式系统和便携设备使用。
该器件广泛应用于网络设备、通信模块、工业控制系统、图像处理设备以及高速缓存等场合,是一款成熟且可靠的高性能SRAM解决方案。
IS61WV51232BLL-10BLI-TR 主要应用于需要高速存储和低延迟的工业及通信设备中。典型应用包括路由器、交换机、网络接口卡等通信设备的高速缓存;工业控制系统的数据缓冲和临时存储;图形处理器和显示控制器的帧缓存;以及嵌入式系统的高速数据处理存储器。
由于其异步接口和高速特性,该芯片也适用于需要直接连接到处理器或FPGA的场合,例如作为微处理器或DSP的外部高速缓存、图像处理中的像素数据缓冲、实时控制系统中的数据暂存等。此外,它还可用于测试测量设备、医疗成像设备和高端消费类电子产品中。
IS61WV51232BLL-10BLLI-TR, IS61WV51232BLL-10BST-TR, CY7C1512KV18-10B4I, IDT71V416S10PFGI, AS7C3512A-10TC