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IS61WV51216EEBLL-10BLI 发布时间 时间:2025/9/1 13:51:55 查看 阅读:7

IS61WV51216EEBLL-10BLI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,属于异步SRAM类别。该芯片具有512K x 16位的存储容量,即总共存储容量为8MB(兆字节),适用于需要高速数据存取的应用场景。该器件采用CMOS工艺制造,具有低功耗、高性能的特点,广泛应用于工业控制、网络设备、通信系统和嵌入式系统等领域。

参数

容量:512K x 16位
  电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:10ns
  封装类型:TSOP
  温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  引脚数:54
  组织结构:x16

特性

IS61WV51216EEBLL-10BLI具备多项优良特性,首先是其高速访问时间,仅为10ns,这使得它适用于对响应时间要求较高的系统,如高速缓存或实时控制系统。其次,该芯片工作电压范围为2.3V至3.6V,提供了良好的兼容性,能够适配多种电源设计环境,同时在低电压下依然保持稳定的性能表现。
  该芯片采用CMOS工艺制造,显著降低了功耗,特别适合于对功耗敏感的应用场景。在待机模式下,其电流消耗极低,有助于延长设备的电池寿命。此外,IS61WV51216EEBLL-10BLI的工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级标准,确保其在恶劣环境条件下仍能稳定运行。
  该芯片的封装形式为TSOP(薄型小外形封装),体积小巧,便于集成在空间受限的PCB板上。其引脚数为54,采用标准的x16并行接口,兼容多种主流处理器和控制器,简化了系统设计的复杂性。
  此外,IS61WV51216EEBLL-10BLI具备高可靠性和长数据保持能力,无需刷新操作,避免了动态RAM中常见的刷新管理问题。这种特性使其在需要长期数据保持和高稳定性的应用中表现优异。

应用

IS61WV51216EEBLL-10BLI广泛应用于多个领域,包括但不限于工业自动化控制系统、网络交换设备、通信基站、路由器和交换机、嵌入式系统、测试与测量设备等。在工业控制中,该芯片可用于高速数据缓存,确保实时控制系统的稳定性和响应速度;在网络设备中,IS61WV51216EEBLL-10BLI常用于数据包缓冲和高速缓存管理,提高数据处理效率;在通信系统中,该SRAM芯片适用于基站和无线设备中的临时数据存储,确保数据快速读写和低延迟传输。
  此外,该芯片也适用于高端消费类电子产品,如打印机、扫描仪、视频采集设备等,提供快速的数据存取能力。由于其宽温度范围和高可靠性,它还被广泛应用于车载电子系统、安防监控设备以及航空航天等对环境适应性要求严格的领域。

替代型号

CY62148EVLL-45ZE3、IDT71V416SA10PFG、IS62WV51216EBLL-10B

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IS61WV51216EEBLL-10BLI参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格480 : ¥58.68800托盘
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 异步
  • 存储容量8Mb
  • 存储器组织512K x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页10ns
  • 访问时间10 ns
  • 电压 - 供电2.4V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳48-TFBGA
  • 供应商器件封装48-TFBGA(6x8)