时间：2025/9/1 8:51:49
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IS61WV51216BLL-10TLI-TR 是一颗由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片采用512K x 16位的组织结构，总容量为8MB。IS61WV51216BLL-10TLI-TR 以其高速度、低功耗和稳定性著称，适用于需要高性能存储器的嵌入式系统、工业控制设备、网络设备以及通信设备等应用领域。该器件采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装形式，便于在高密度PCB布局中使用。
工作电压：2.3V - 3.6V
访问时间：10ns
封装类型：TSOP-II
引脚数量：54
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
最大工作频率：100MHz
组织结构：512K x 16
IS61WV51216BLL-10TLI-TR SRAM芯片具备出色的高速存取能力，其访问时间仅为10ns，使得该芯片能够满足高速缓存和实时数据处理的需求。芯片的功耗较低，尤其在待机模式下，电流消耗极小，非常适合对功耗敏感的应用场景。其宽泛的工作电压范围（2.3V至3.6V）使其能够适应多种电源环境，增加了系统设计的灵活性。
该芯片采用CMOS工艺制造，具备较高的抗干扰能力和稳定性。此外，IS61WV51216BLL-10TLI-TR 的TSOP封装不仅节省空间，还具有良好的热性能和电气性能，有助于提高整体系统的可靠性和耐久性。其工业级温度范围（-40°C至+85°C）确保了芯片在极端温度条件下的稳定运行，适用于各种恶劣工业环境。
作为异步SRAM，该芯片无需时钟信号即可进行读写操作，简化了接口时序设计，降低了控制器的设计复杂度。此外，该芯片的广泛兼容性也使其易于与多种主控芯片和处理器进行连接，适用于多种嵌入式系统的存储需求。
IS61WV51216BLL-10TLI-TR 通常用于需要高性能和低延迟存储的场合，例如路由器和交换机的缓存、工业自动化控制设备、医疗仪器、测试测量设备、通信模块、图像处理设备以及嵌入式系统的外部高速缓存。其广泛的应用场景也使其成为工业级和车载电子设备中的理想选择。
IS61WV51216BLL-10TLQ-TR, CY62148E, IDT71V416
