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IS61WV51216BLL-10TLI-TR 发布时间 时间:2025/9/1 8:51:49 查看 阅读:7

IS61WV51216BLL-10TLI-TR 是一颗由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片采用512K x 16位的组织结构,总容量为8MB。IS61WV51216BLL-10TLI-TR 以其高速度、低功耗和稳定性著称,适用于需要高性能存储器的嵌入式系统、工业控制设备、网络设备以及通信设备等应用领域。该器件采用TSOP(Thin Small Outline Package)封装形式,便于在高密度PCB布局中使用。

参数

工作电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:10ns
  封装类型:TSOP-II
  引脚数量:54
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  最大工作频率:100MHz
  组织结构:512K x 16

特性

IS61WV51216BLL-10TLI-TR SRAM芯片具备出色的高速存取能力,其访问时间仅为10ns,使得该芯片能够满足高速缓存和实时数据处理的需求。芯片的功耗较低,尤其在待机模式下,电流消耗极小,非常适合对功耗敏感的应用场景。其宽泛的工作电压范围(2.3V至3.6V)使其能够适应多种电源环境,增加了系统设计的灵活性。
  该芯片采用CMOS工艺制造,具备较高的抗干扰能力和稳定性。此外,IS61WV51216BLL-10TLI-TR 的TSOP封装不仅节省空间,还具有良好的热性能和电气性能,有助于提高整体系统的可靠性和耐久性。其工业级温度范围(-40°C至+85°C)确保了芯片在极端温度条件下的稳定运行,适用于各种恶劣工业环境。
  作为异步SRAM,该芯片无需时钟信号即可进行读写操作,简化了接口时序设计,降低了控制器的设计复杂度。此外,该芯片的广泛兼容性也使其易于与多种主控芯片和处理器进行连接,适用于多种嵌入式系统的存储需求。

应用

IS61WV51216BLL-10TLI-TR 通常用于需要高性能和低延迟存储的场合,例如路由器和交换机的缓存、工业自动化控制设备、医疗仪器、测试测量设备、通信模块、图像处理设备以及嵌入式系统的外部高速缓存。其广泛的应用场景也使其成为工业级和车载电子设备中的理想选择。

替代型号

IS61WV51216BLL-10TLQ-TR, CY62148E, IDT71V416

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IS61WV51216BLL-10TLI-TR参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量8 Mbit
  • 访问时间10 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min2.4 V
  • 最大工作电流95 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TSOP-II
  • 封装Reel
  • 端口数量1
  • 工厂包装数量1000
  • 类型Asynchronous