时间：2025/9/2 10:15:08
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H26M31001EFR 是一款由现代（Hyundai）公司生产的存储器芯片，属于DRAM（动态随机存取存储器）类别。这款芯片专为高性能电子设备设计，广泛应用于计算机、嵌入式系统、工业设备以及其他需要高速数据存储和处理的场景。它具备较高的存储密度和较低的延迟特性，适合对数据访问速度有较高要求的应用。
存储类型: DRAM
容量: 256MB
数据总线宽度: 16位
时钟频率: 166MHz
电源电压: 3.3V
封装类型: TSOP
引脚数量: 54
工作温度范围: -40°C至+85°C
H26M31001EFR 具备出色的性能特性，其166MHz的时钟频率支持高速数据访问，能够满足需要快速数据处理的应用需求。该芯片的16位数据总线宽度提升了数据传输效率，同时256MB的存储容量在当时的设计中提供了较高的存储密度，适用于多种高性能系统。
该芯片采用了低功耗设计，3.3V的电源电压减少了能耗和热量产生，使其适合用于对能效有要求的设备。此外，H26M31001EFR 的TSOP封装形式不仅提高了空间利用率，还增强了信号完整性和可靠性，适合在高振动或复杂电磁环境中使用。
这款芯片还具备良好的稳定性和兼容性，支持标准的DRAM接口协议，可以方便地集成到各种主板和系统设计中。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于工业级环境，能够在恶劣条件下保持稳定运行。
H26M31001EFR 主要用于需要高性能存储解决方案的设备，包括个人计算机、服务器、嵌入式系统以及工业控制设备。它也常用于网络设备，如路由器和交换机，以提升数据处理能力。此外，该芯片还可应用于消费类电子产品，如高端游戏机和多媒体播放器，以支持复杂的数据运算和存储需求。
HY57V281620FTP-6A, K4S641632E-UCB0
