时间：2025/5/8 10:03:14
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IS61WV25616EDBLL-10TLI是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的高速静态随机存取存储器（SRAM）。该芯片采用CMOS工艺制造，具有低功耗和高性能的特点，适用于需要高数据吞吐量的应用场景。其组织结构为256K x 16位，总容量为4Mbit，支持宽电压范围操作，并提供工业级温度范围支持。
存储容量：4Mbit
组织结构：256K x 16
核心电压：1.71V - 1.98V
输入/输出电压：1.71V - 1.98V
访问时间：10ns
数据保持时间：无限
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装类型：TQFP
引脚数：48
数据宽度：16位
IS61WV25616EDBLL-10TLI采用先进的CMOS工艺，具备低功耗、快速访问时间和高可靠性等优点。
1. 高速性能：访问时间为10ns，确保了快速的数据读写能力。
2. 低功耗设计：在保证性能的同时降低了功耗，非常适合便携式设备和其他对功耗敏感的应用。
3. 宽电压范围：支持1.71V至1.98V的核心和I/O电压，适应多种电源环境。
4. 工业级温度范围：能够在-40°C至+85°C的环境下稳定运行，适合恶劣的工作条件。
5. 简单的接口设计：易于集成到各种系统中，减少了开发时间和成本。
这款SRAM芯片广泛应用于通信、网络设备、消费电子、工业控制和汽车电子等领域。具体应用场景包括：
1. 路由器和交换机中的缓存功能。
2. 嵌入式系统的临时数据存储。
3. 图像处理和视频捕捉设备中的帧缓冲。
4. 医疗设备中的实时数据记录。
5. 工业自动化控制系统中的高速数据暂存。
IS61WV25616BLL-10TLI
IS61WV25616DBLL-10G
IS61WV25616DBLL-12G
