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IS61WV25616BLS-25TLI 发布时间 时间:2025/9/1 9:51:17 查看 阅读:8

IS61WV25616BLS-25TLI 是一颗由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)制造的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为256K x 16位。该芯片采用CMOS工艺制造,具有低功耗和高速访问时间的特点,适用于各种需要高性能存储系统的应用场合。

参数

容量:256K x 16位
  访问时间:25ns
  电源电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  数据宽度:16位
  封装引脚数:54
  工作模式:异步SRAM
  输入/输出电平:CMOS兼容

特性

IS61WV25616BLS-25TLI 芯片采用了高性能的CMOS技术,使其在保持低功耗的同时具备了快速的访问速度。其25ns的访问时间使其适用于高速缓存、图像处理、网络设备和工业控制等多种需要快速数据存取的系统中。
  该芯片的工作电压为3.3V,能够与现代低功耗设计兼容,同时其TSOP封装形式有助于节省PCB空间并提高集成度。工业级的工作温度范围(-40°C 至 +85°C)确保了其在恶劣环境下的稳定性与可靠性。
  此外,IS61WV25616BLS-25TLI 提供了标准的异步SRAM接口,便于与多种微处理器和控制器连接。其16位的数据宽度支持较宽的数据传输,适合需要高吞吐量的应用场景。

应用

该芯片广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、视频处理系统、网络路由器和交换机等对速度和稳定性要求较高的电子设备中。由于其低功耗和高速特性,也非常适合用于便携式或电池供电的系统中。

替代型号

IS61WV25616ALL-25HLLI, CY62148EVLL, IDT71V416SA

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IS61WV25616BLS-25TLI参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量4 Mbit
  • 访问时间25 ns
  • Supply Voltage - Max3.6 V
  • Supply Voltage - Min2.4 V
  • 最大工作电流12 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TSOP-II
  • 封装Tray
  • 端口数量1
  • 工厂包装数量135
  • 类型Asynchronous