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SI8274GB1-IM1 发布时间 时间:2025/7/14 15:11:55 查看 阅读:10

SI8274GB1-IM1 是由 Silicon Labs(芯科科技)生产的一款高性能、隔离式双通道栅极驱动器芯片,专为驱动高功率 MOSFET 和 IGBT 等功率开关器件而设计。该芯片采用Silicon Labs独有的数字隔离技术,提供高达5 kVRMS的增强型电气隔离能力,适用于各种工业电源转换应用。

参数

工作电压范围:2.5V 至 5.5V
  输出驱动电流:拉电流/灌电流各为 4A(典型值)
  传播延迟时间:小于 60 ns
  上升/下降时间:小于 13 ns
  输入逻辑类型:CMOS/TTL 兼容
  最大工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装形式:8引脚宽体SOIC

特性

SI8274GB1-IM1具备卓越的性能和可靠性,其核心优势在于采用了电容式数字隔离技术,使得在高速切换应用中仍能保持稳定和安全的信号传输。该芯片的两个独立通道可以分别控制,支持高边和低边配置,非常适合用于半桥或全桥拓扑结构。此外,SI8274GB1-IM1内置欠压锁定保护功能,当供电电压低于阈值时自动关闭输出,防止功率器件误动作。
  芯片还具有较高的抗电磁干扰能力,确保在嘈杂的工业环境中仍能正常工作。其宽输入电压范围允许使用多种类型的控制器进行接口连接,并且能够适应不同的系统设计需求。由于其集成度高,外围电路简洁,大大减少了PCB布局的复杂性和空间占用。
  SI8274GB1-IM1的隔离等级达到UL认证标准,符合IEC 60950-1等国际安规要求,适合应用于对安全性要求严格的场合。

应用

SI8274GB1-IM1广泛应用于需要高效驱动功率MOSFET或IGBT的场合,如太阳能逆变器、电机驱动器、不间断电源(UPS)、开关电源(SMPS)、电动汽车充电设备、工业自动化控制系统以及各类高频电力电子变换装置。其优异的隔离性能也使其适用于医疗设备中的电源模块,以确保患者与操作人员的安全。

替代型号

ADuM4223-1BRIZ, UCC21520DWPG4

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SI8274GB1-IM1参数

  • 现有数量460现货
  • 价格1 : ¥48.65000管件
  • 系列Si827x
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • 技术射频耦合
  • 通道数2
  • 电压 - 隔离2500Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值)200kV/μs
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)75ns,60ns
  • 脉宽失真(最大)19ns
  • 上升/下降时间(典型值)10.5ns,13.3ns
  • 电流 - 输出高、低1.8A,4A
  • 电流 - 峰值输出4A
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值)-
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值)-
  • 电压 -?输出供电4.2V ~ 30V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳14-VDFN
  • 供应商器件封装14-QFN(5x5)
  • 认证机构CQC,CSA,UR,VDE