IS61WV25616BLL-10BLI 是一款由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高性能同步静态随机存取存储器(SRAM)。该芯片采用 CMOS 工艺制造,具有低功耗和高可靠性的特点。它提供 256K x 16 的存储容量,并支持标准的同步接口协议,适合用于需要高速数据访问和临时数据存储的应用场景。
该器件支持单电源供电,工作电压范围为 3.3V,并兼容多种工业级和商业级应用环境。
存储容量:256K x 16
接口类型:同步
数据宽度:16位
访问时间:10ns
供电电压:3.3V
封装类型:TQFP100
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
引脚数:100
IS61WV25616BLL-10BLI 提供快速的数据访问速度,典型访问时间为 10ns,适用于对延迟敏感的实时系统。
芯片支持全自动刷新功能,从而减少了外部控制器的负担。
其低功耗特性使其非常适合便携式设备或需要节能的嵌入式系统。
该 SRAM 支持 Burst 模式操作,能够显著提升连续数据传输的效率。
此外,该器件还具备简单易用的控制逻辑,与大多数微处理器和 FPGA 兼容,简化了系统设计流程。
IS61WV25616BLL-10BLI 广泛应用于需要高速缓存和临时数据存储的领域,例如网络通信设备、打印机缓冲区、图像处理设备以及各种工业控制系统。
在视频处理中,该芯片可以用作帧缓冲存储器以提高图像渲染速度。
此外,它也常被用作嵌入式系统的高速缓存,配合微控制器或 DSP 使用,以优化整体性能。
由于其宽温度范围支持,该器件也适用于恶劣环境下的军工和航空航天项目。
IS61WV25616BLL-12BLLI
IS61WV25616BLL-15BLLI
CY7C1041DV33-10LC
ISSI IS61WV51216BLL-10BLI