时间：2025/12/28 18:30:43
阅读：25
IS61WV20488FBLL-8TLI是一款高速、低功耗的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造。该器件具有256K x 8位的存储容量，适用于需要高速数据访问和低功耗的应用场景。该芯片采用FBGA封装，工作温度范围为工业级（-40°C至+85°C），适用于各种工业、通信和消费类电子产品。
容量：256K x 8位
速度：8ns访问时间（tRC）
封装类型：FBGA（51-ball）
电源电压：2.3V至3.6V
工作温度范围：-40°C至+85°C
数据宽度：8位
组织方式：256K地址 x 8位
封装尺寸：5.5mm x 4.9mm
接口类型：异步
功耗：典型待机电流<10mA
最大工作频率：约125MHz（根据时序）
IS61WV20488FBLL-8TLI具有多项优良特性，包括高速访问时间（8ns），可满足高性能系统的需求。其低功耗特性在待机模式下尤为明显，适合电池供电或节能型设备。芯片采用异步接口，兼容多种控制器，便于系统集成。其2.3V至3.6V的宽电压范围设计，使其在不同电源条件下都能稳定运行。此外，该SRAM芯片具备高可靠性和稳定性，适用于长时间运行的工业控制系统和网络设备。
该芯片的封装形式为51-ball FBGA，体积小巧，适合高密度PCB布局。同时，其支持的工业温度范围（-40°C至+85°C）确保了在各种恶劣环境下的稳定运行。IS61WV20488FBLL-8TLI内部存储阵列采用高性能CMOS技术制造，提供无故障的数据读写操作，并具有良好的抗干扰能力和数据保持能力。
IS61WV20488FBLL-8TLI广泛应用于需要高速、低功耗SRAM的场合，例如通信设备中的缓存存储、工业控制系统的数据缓冲、消费类电子产品的临时存储、网络设备中的路由表存储、汽车电子中的实时数据处理模块以及测试测量仪器中的高速数据采集系统。此外，该芯片也常用于图像处理、音频处理、嵌入式系统和智能卡终端等对存储性能要求较高的场景。
IS61WV20488FBLL-10TLI, CY62148EVLL-45ZE3, IDT71V416SA10PFG, AS7C3256A-10TC, IS64WV20488ALL-8TLI
