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IS61WV20488FBLL-8TLI-TR 发布时间 时间:2025/12/28 18:46:26 查看 阅读:22

IS61WV20488FBLL-8TLI-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速、低功耗的异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件具有256K x 8位的存储容量,采用异步设计,适用于需要快速数据存取而不需要刷新操作的应用场景。该型号属于高性能工业级温度范围(-40°C至+85°C)器件,适用于各种工业和通信设备。

参数

容量:256K x 8位
  电压范围:2.3V至3.6V
  访问时间:8ns
  封装类型:TSOP
  封装引脚数:54
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  封装尺寸:54-TSOP
  数据总线宽度:8位
  最大工作频率:125MHz(基于访问时间)

特性

IS61WV20488FBLL-8TLI-TR SRAM芯片具有多项高性能特性,包括高速访问时间(8ns)和宽电压工作范围(2.3V至3.6V),使其适用于多种电源环境。该器件采用异步设计,无需时钟或刷新信号,简化了系统接口设计。其TSOP封装形式有助于节省PCB空间,适用于高密度电路设计。此外,该芯片支持低待机电流模式,在非活跃状态下可显著降低功耗。其工业级温度范围(-40°C至+85°C)确保了在各种严苛环境下的稳定运行。
  该芯片还具备优异的抗干扰能力和稳定性,适用于对数据完整性要求较高的应用场景。其输出使能(OE)、写使能(WE)和片选(CE)信号提供了灵活的控制选项,支持多种读写操作模式。IS61WV20488FBLL-8TLI-TR SRAM芯片在通信设备、工业控制系统、网络设备和嵌入式系统中均有广泛应用。

应用

该芯片广泛应用于需要高速数据缓冲和临时存储的系统中,如网络路由器和交换机、工业控制设备、通信模块、嵌入式系统、数据采集设备、视频处理单元、打印机和扫描仪控制器等。其异步接口特性使其特别适用于与传统微处理器或微控制器配合使用的场合,同时也适合需要低延迟数据访问的应用。此外,该芯片的高可靠性和宽温度范围也使其适用于汽车电子系统和户外通信设备。

替代型号

IS61WV20488FBLL-10TLI-TR, CY62148EVLL-45ZE3, IDT71V416S12PHGI, AS6C62256C-SL

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IS61WV20488FBLL-8TLI-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1,000 : ¥75.72322卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 异步
  • 存储容量16Mb
  • 存储器组织2M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页8ns
  • 访问时间8 ns
  • 电压 - 供电2.4V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
  • 供应商器件封装44-TSOP II