类型：光电晶体管输出光耦
　　通道数：1
　　正向电压（VF）：1.2V（典型值）
　　集电极-发射极电压（VCEO）：35V
　　发射极-集电极电压（VECO）：6V
　　集电极电流（IC）：50mA
　　电流传输比（CTR）：50%～600%（测试条件IF=5mA, VCE=5V）
　　工作温度范围：-55°C～+110°C
　　存储温度范围：-55°C～+125°C
　　隔离电压（Viso）：5000VRMS（1分钟）
　　响应时间：上升时间（tr）= 3μs，下降时间（tf）= 3μs
　　封装形式：DIP-4
　　引脚数：4
　　绝缘电阻：≥10^11Ω
　　介电强度：5kVrms/min

TM400PZ-H光耦合器具备优异的电气隔离性能，能够在高噪声或高压环境中稳定工作，有效防止接地环路和电压瞬变对敏感电路的影响。其内部采用GaAs红外LED与硅光电晶体管的组合结构，提供了良好的光转换效率和较长的使用寿命。该器件的电流传输比（CTR）范围宽，典型值在50%至600%之间，意味着即使在较小的输入电流（如5mA）条件下也能实现高效的信号传递，从而降低驱动电路的功耗需求，提高系统能效。
　　该光耦支持较宽的工作温度范围（-55°C 至 +110°C），使其适用于极端环境下的工业设备和户外电子装置。同时，其高达5000VRMS的隔离电压确保了在高压应用中的安全性，满足大多数安全规范要求。响应时间方面，上升和下降时间均为3微秒，适合中等频率的信号传输应用，例如数字信号隔离、脉冲信号传输等。
　　DIP-4封装设计不仅便于手工焊接和自动化生产，还提供了良好的散热性能和机械强度。器件符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，适用于现代绿色电子产品制造。此外，TM400PZ-H具有较强的抗电磁干扰（EMI）能力，在复杂电磁环境下仍能保持稳定的信号传输性能，是工业自动化、电源反馈控制和微处理器接口隔离的理想选择。其长期可靠性经过严格测试，可在持续高负载条件下长时间运行而不会出现性能衰减。

TM400PZ-H广泛应用于各类需要电气隔离的电子系统中。常见用途包括开关电源中的反馈回路隔离，用于将次级侧的电压调节信号安全地传送到初级侧控制器，避免高压窜入低压控制部分。在工业控制系统中，它常被用作PLC输入/输出模块的信号隔离元件，以保护中央处理单元免受现场传感器或执行器带来的电气冲击。
　　在电机驱动和逆变器电路中，TM400PZ-H可用于隔离控制信号与功率开关器件（如IGBT或MOSFET）的驱动电路，提升系统的安全性和抗干扰能力。此外，该光耦也适用于通信接口的电平转换与隔离，例如RS-232、RS-485等串行通信线路中，防止不同设备间的地电位差造成损坏。
　　在医疗电子设备中，由于对电气安全要求极高，TM400PZ-H可作为患者连接设备与主控电路之间的隔离屏障，符合医疗设备的安全绝缘等级要求。同时，它也被用于电池管理系统（BMS）、UPS不间断电源、智能电表以及家用电器（如空调、洗衣机）的微控制器隔离输入/输出接口，保障用户和设备的安全运行。

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　　 "TLP521-1",
　　 "PC817X1NIZ",
　　 "EL817",
　　 "HCPL-2731"
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