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IS61WV20488FBLL-10TLI 发布时间 时间:2025/12/28 17:59:23 查看 阅读:30

IS61WV20488FBLL-10TLI 是一颗由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片具有低功耗、高性能和高可靠性的特点,广泛应用于网络设备、工业控制、通信设备和消费类电子产品中。其主要配置为256K x 8位(即256千字节)的存储容量,采用异步访问方式,适用于需要快速数据存取的场景。

参数

容量:256K x 8 位
  电源电压:3.3V
  访问时间:10ns
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装引脚数:54
  数据宽度:8位
  最大工作频率:100MHz(根据访问时间10ns计算)
  输入/输出电平:TTL兼容
  封装尺寸:约54-TSOP
  封装材料:塑料封装

特性

IS61WV20488FBLL-10TLI 是一款高性能的异步SRAM,具备多项优异特性。首先,它的访问时间为10ns,这意味着它能够在极短的时间内完成数据的读取和写入操作,满足高速系统的需求。该芯片的功耗相对较低,非常适合对功耗敏感的应用场景,例如便携式设备和嵌入式系统。
  其次,IS61WV20488FBLL-10TLI 采用3.3V的电源电压供电,与许多现代微控制器和数字逻辑电路兼容,简化了系统设计并降低了电源管理的复杂性。同时,该芯片的TTL输入/输出电平兼容性使其能够无缝集成到基于TTL电平的系统中,增强了其应用灵活性。
  此外,该SRAM芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C,表明它适用于工业级和高温环境应用,如工业控制、通信设备和汽车电子系统。其54-TSOP封装形式不仅节省空间,而且便于自动化生产和焊接,适用于大批量制造。
  IS61WV20488FBLL-10TLI 还具有较高的可靠性和稳定性,支持长时间连续运行,且不需要刷新操作,与动态RAM(DRAM)相比,具有更低的系统复杂性和更高的数据保持能力。这些特性使其成为高性能嵌入式系统和实时控制系统的理想选择。

应用

IS61WV20488FBLL-10TLI 广泛应用于多个领域。在通信设备中,它常用于高速缓存、数据缓冲和协议处理等场景,如路由器、交换机和无线基站。在工业控制系统中,该芯片可用于PLC(可编程逻辑控制器)、机器人控制和工业计算机等设备,提供快速可靠的数据存储支持。
  此外,该SRAM芯片也适用于消费类电子产品,例如数字电视、机顶盒和网络摄像头,用于图像处理和数据缓存。在网络设备中,IS61WV20488FBLL-10TLI 可用于存储临时数据和协议表项,提升系统响应速度和数据处理能力。
  在嵌入式系统中,如基于ARM、MIPS或PowerPC架构的微处理器系统,该SRAM芯片可用作高速缓存或主存,提升系统运行效率。同时,由于其宽温范围和高可靠性,IS61WV20488FBLL-10TLI 也非常适合用于汽车电子系统,如车载信息娱乐系统、车载导航和ADAS(高级驾驶辅助系统)等。

替代型号

IS61WV20488FBLL-10BLLI, CY62148EVLL-10ZSXI, IDT71V416SA10PFG, AS7C3256-10TC, IS64WV20488ALL

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IS61WV20488FBLL-10TLI产品

IS61WV20488FBLL-10TLI参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格135 : ¥78.51452散装
  • 系列-
  • 包装散装
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 异步
  • 存储容量16Mb
  • 存储器组织2M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页10ns
  • 访问时间10 ns
  • 电压 - 供电2.4V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
  • 供应商器件封装44-TSOP II