时间：2025/9/1 9:34:26
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IS61WV102416FBLL-10TLI是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件容量为1兆位（128K x 8或64K x 16），采用高性能CMOS工艺制造，适用于需要快速访问和低功耗的应用场景。其封装形式为54引脚FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array），适合嵌入式系统、通信设备、工业控制设备等对空间和性能都有要求的应用。
容量：1Mbit
组织结构：128K x 8 / 64K x 16
电源电压：2.3V - 3.6V
访问时间：10ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：54-FBGA
接口类型：并行异步接口
最大工作频率：约100MHz（基于访问时间）
功耗：典型值为100mA（待机模式下电流极低）
IS61WV102416FBLL-10TLI具有多项优异性能，包括高速访问时间（仅10ns），使得它适用于需要快速数据读写的应用。该芯片采用CMOS工艺，具备低功耗特性，尤其在待机模式下功耗极低，非常适合电池供电或低功耗系统设计。其宽电压范围（2.3V至3.6V）增强了系统的灵活性和兼容性，能够在多种电源条件下稳定工作。此外，该器件支持异步操作，无需时钟信号，简化了控制逻辑，适用于传统的静态存储器接口设计。其54-FBGA封装形式体积小巧，便于在空间受限的设备中使用，如便携式电子产品或嵌入式系统。
该SRAM芯片还具备高可靠性，可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内正常运行，适用于各种严苛环境。其并行接口设计支持高速数据总线连接，适用于图像处理、高速缓存等需要大数据吞吐量的场合。
IS61WV102416FBLL-10TLI广泛应用于通信设备（如路由器、交换机）、工业控制系统（如PLC、HMI）、消费电子产品（如数码相机、游戏设备）、测试仪器、嵌入式系统和汽车电子等领域。由于其高速访问和低功耗特点，该芯片也常用于需要临时数据缓存或程序存储的场景。
IS61LV102416-10T、CY62148EVLL、AS7C31026C-10TC、IS64WV102416BLL-10B
