IS61WV102416FBLL-10TLI是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件容量为1兆位(128K x 8或64K x 16),采用高性能CMOS工艺制造,适用于需要快速访问和低功耗的应用场景。其封装形式为54引脚FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array),适合嵌入式系统、通信设备、工业控制设备等对空间和性能都有要求的应用。
容量:1Mbit
组织结构:128K x 8 / 64K x 16
电源电压:2.3V - 3.6V
访问时间:10ns
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:54-FBGA
接口类型:并行异步接口
最大工作频率:约100MHz(基于访问时间)
功耗:典型值为100mA(待机模式下电流极低)
IS61WV102416FBLL-10TLI具有多项优异性能,包括高速访问时间(仅10ns),使得它适用于需要快速数据读写的应用。该芯片采用CMOS工艺,具备低功耗特性,尤其在待机模式下功耗极低,非常适合电池供电或低功耗系统设计。其宽电压范围(2.3V至3.6V)增强了系统的灵活性和兼容性,能够在多种电源条件下稳定工作。此外,该器件支持异步操作,无需时钟信号,简化了控制逻辑,适用于传统的静态存储器接口设计。其54-FBGA封装形式体积小巧,便于在空间受限的设备中使用,如便携式电子产品或嵌入式系统。
该SRAM芯片还具备高可靠性,可在-40°C至+85°C的工业级温度范围内正常运行,适用于各种严苛环境。其并行接口设计支持高速数据总线连接,适用于图像处理、高速缓存等需要大数据吞吐量的场合。
IS61WV102416FBLL-10TLI广泛应用于通信设备(如路由器、交换机)、工业控制系统(如PLC、HMI)、消费电子产品(如数码相机、游戏设备)、测试仪器、嵌入式系统和汽车电子等领域。由于其高速访问和低功耗特点,该芯片也常用于需要临时数据缓存或程序存储的场景。
IS61LV102416-10T、CY62148EVLL、AS7C31026C-10TC、IS64WV102416BLL-10B