GMC04CG150K50NT是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率晶体管,采用常关型设计。该器件适用于高频、高效率开关电源、DC-DC转换器和逆变器等应用领域。其封装形式为TO-247-4L,具有低导通电阻和快速开关速度的特点。
这款芯片通过结合先进的GaN材料特性和优化的电路设计,能够显著提升电力电子系统的效率和功率密度,同时降低系统体积和成本。
型号:GMC04CG150K50NT
类型:增强型功率晶体管
材料:氮化镓(GaN)
封装:TO-247-4L
额定电压:650V
额定电流:50A
导通电阻:150mΩ
最大栅极电压:+6V/-4V
工作温度范围:-55℃至+150℃
GMC04CG150K50NT具备以下主要特性:
1. 高效的开关性能,可实现高达数MHz的工作频率。
2. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗。
3. 优异的热稳定性,能够在高温环境下保持稳定的性能。
4. 内置ESD保护功能,提升了器件在实际应用中的可靠性。
5. 简化的驱动要求,兼容传统硅MOSFET驱动电路。
6. 超快恢复时间,有效降低开关损耗。
7. 高度集成的设计,减少了外围元件的数量。
GMC04CG150K50NT广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)设计中的主开关或同步整流器。
2. DC-DC转换器中的高频功率开关。
3. 太阳能逆变器和储能系统的功率级组件。
4. 电动车辆(EV)和混合动力车辆(HEV)的车载充电器与DC-DC转换模块。
5. 工业电机驱动器和伺服控制器中的高效功率转换。
6. LED驱动电源和其他高效率电源管理方案。
GMC04CG100K50NT
GMC04CG200K50NT
GMC04CG150K30NT