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IS61WV102416DBLL-10BLI-TR 发布时间 时间:2025/12/28 17:43:28 查看 阅读:36

IS61WV102416DBLL-10BLI-TR是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)制造的高速异步静态随机存取存储器(SRAM)。该芯片具有1Mbit(1024K x 16)的存储容量,适用于需要高速数据访问和低延迟的嵌入式系统和工业应用。其封装形式为TSOP,便于在各种电子设备中使用。

参数

容量:1Mbit
  组织结构:1024K x 16
  访问时间:10ns
  电源电压:3.3V
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:工业级-40°C至+85°C

特性

IS61WV102416DBLL-10BLI-TR SRAM具有高速访问时间(10ns),能够满足高性能系统的需求。其低功耗设计使得该芯片适用于电池供电设备和对功耗敏感的应用。该芯片支持异步操作,无需时钟信号即可进行数据读写,提高了系统的灵活性。此外,IS61WV102416DBLL-10BLI-TR采用3.3V电源供电,符合现代低电压系统的标准,降低了功耗和热量产生。其TSOP封装设计节省了PCB空间,并提高了机械稳定性。芯片的工业级温度范围(-40°C至+85°C)确保其在严苛环境下的可靠运行。

应用

IS61WV102416DBLL-10BLI-TR广泛应用于工业控制设备、网络设备、通信设备、医疗仪器以及消费类电子产品中。例如,在工业自动化系统中,该芯片用于高速数据缓存和临时存储,提高系统的响应速度和处理能力。在网络设备中,IS61WV102416DBLL-10BLI-TR可作为高速缓冲存储器,用于快速处理数据包。在医疗仪器中,它用于存储实时数据和程序代码,确保设备的高效运行。

替代型号

IS61WV102416GBLL-10BLL-TR

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IS61WV102416DBLL-10BLI-TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,500 : ¥90.27114卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 异步
  • 存储容量16Mb
  • 存储器组织1M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率-
  • 写周期时间 - 字,页10ns
  • 访问时间10 ns
  • 电压 - 供电2.4V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳48-TFBGA
  • 供应商器件封装48-TFBGA(6x8)