IS61WV102416BLL-10TLI 是一款高速、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM),由 ISSI 公司生产。该芯片采用 CMOS 工艺制造,具有高可靠性和稳定性,适用于需要快速数据访问和大容量存储的应用场景。
这款 SRAM 提供 1024K x 16 的存储容量,并具备宽电压工作范围和多种省电模式,能够满足工业、通信和消费电子等领域的多样化需求。
存储容量:1024K x 16位 (2M 字节)
核心电压:1.71V 至 1.98V
I/O 电压:1.71V 至 1.98V
访问时间:10ns
数据保持时间:无限(在供电情况下)
封装类型:TQFP-100
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
引脚数:100
IS61WV102416BLL-10TLI 的主要特性包括:
1. 高速操作:支持高达 10ns 的访问时间,确保系统实时处理能力。
2. 低功耗设计:采用先进的 CMOS 技术,显著降低待机和工作状态下的功耗。
3. 宽电压范围:支持 1.71V 至 1.98V 的核心和 I/O 电压,适应不同的电源环境。
4. 稳定性高:提供强大的抗干扰能力和长期数据保存功能。
5. 多种工作模式:支持正常模式、掉电模式以及深度掉电模式,进一步优化功耗表现。
6. 快速读写速度:具备单周期访问能力,可实现高效的内存管理。
7. 高密度封装:采用 TQFP-100 封装,节省 PCB 空间同时提高散热性能。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 通信设备:如路由器、交换机和基站中的缓存和临时数据存储。
2. 工业控制:用于 PLC 和 CNC 设备中的程序和数据暂存。
3. 消费类电子产品:例如数码相机、打印机和游戏机的数据缓冲。
4. 嵌入式系统:为微控制器提供高速外部存储扩展。
5. 医疗设备:如超声波仪器和心电图设备的数据采集与处理。
6. 汽车电子:适用于导航系统、仪表盘显示及驾驶辅助系统的数据存储。
IS61LV102416BLL-10T, IS61WV51216BLL-10TLI