时间：2025/9/1 19:11:26
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IS61VPS51236A-250B3 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速、低功耗的异步静态随机存取存储器（SRAM），其容量为512K x 36位，属于高性能的并行接口SRAM芯片系列。该器件广泛应用于需要高速数据存储和访问的系统中，例如网络设备、工业控制设备、通信设备等。IS61VPS51236A-250B3采用先进的CMOS工艺制造，具备可靠性和稳定性，适用于对性能要求较高的工业和商业领域。
容量：512K x 36位
电源电压：2.3V 至 3.6V
访问时间：250MHz
封装类型：209-TQFP
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
数据输入/输出方式：并行
引脚数量：209
IS61VPS51236A-250B3具备多项高性能特性。首先，它的工作频率高达250MHz，这意味着其数据访问速度非常快，适合需要高速缓存的应用场景。其次，该芯片的电压范围为2.3V至3.6V，具有广泛的电源适应性，使其能够在不同系统环境中稳定运行。
该SRAM芯片采用了ISSI先进的CMOS工艺，功耗较低，特别适合电池供电或对功耗敏感的应用。此外，其209引脚的TQFP封装形式提供了良好的散热性能，确保在高温环境下也能稳定工作。IS61VPS51236A-250B3还支持异步操作，具备灵活的控制信号接口，可以方便地与各种主控芯片连接，例如FPGA、DSP或微处理器等。
在数据保持方面，IS61VPS51236A-250B3不需要刷新操作，数据在供电正常的情况下不会丢失，这与DRAM相比具有明显优势。此外，该芯片具备良好的抗干扰能力和稳定性，适用于各种工业环境中的高可靠性需求。
IS61VPS51236A-250B3广泛应用于需要高性能、低功耗存储的嵌入式系统中。典型应用包括路由器、交换机等网络设备中的数据缓存；工业控制系统中的实时数据处理；通信设备中的高速缓冲存储器；以及高端嵌入式设备如医疗设备、测试仪器和航空航天系统中的临时数据存储。
由于其高带宽和低延迟特性，该SRAM芯片常用于图像处理、视频缓存、高速数据采集等对存储性能要求较高的场合。此外，在需要大量并行数据处理的场景中，例如数字信号处理（DSP）系统，IS61VPS51236A-250B3也可以作为主存储器或高速缓存使用，以提升系统整体性能。
IS61VPS51236B-250B3, CY7C1380D-250BZC, IDT71V416S250BQG
