时间：2025/9/16 10:13:49
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ATF-38143-TR1G 是由 Microchip Technology（原 Atmel）生产的一款 GaAs（砷化镓）场效应晶体管（FET），专为高频、低噪声应用而设计。该器件的工作频率范围广泛，适用于射频（RF）和微波放大器、测试设备、通信系统以及其他高性能射频前端应用。ATF-38143-TR1G 采用高电子迁移率晶体管（HEMT）技术，提供出色的噪声系数和高增益性能，使其在低频至毫米波频段的应用中表现出色。
类型：GaAs HEMT FET
工作频率：DC 至 26 GHz
噪声系数：0.45 dB @ 10 GHz
增益：13 dB @ 10 GHz
输出功率：200 mA @ 3 V
漏极电流（ID）：200 mA
漏极-源极电压（VDS）：3 V
封装类型：SOT-343
安装类型：表面贴装（SMD）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
ATF-38143-TR1G 具有优异的低噪声性能和高线性度，适合用于高性能射频接收系统。其基于 GaAs HEMT 技术的结构提供了极低的噪声系数和良好的增益平坦度，确保在高频段仍能保持稳定的工作性能。此外，该器件在宽频率范围内（最高可达 26 GHz）具有良好的匹配性能，减少了对外部匹配电路的依赖，降低了设计复杂度。
该晶体管的工作电压为 3V，功耗较低，适用于电池供电设备和便携式射频系统。其封装形式为 SOT-343，体积小巧，便于集成于高密度 PCB 设计中。ATF-38143-TR1G 的高稳定性使其在各种环境条件下都能保持良好的性能，适用于航空航天、军事通信、卫星通信和高速无线通信等高端应用领域。
另外，该器件具有良好的热稳定性和高可靠性，能够在恶劣的温度环境下稳定运行。其出色的噪声性能和高增益使其成为低噪声放大器（LNA）设计的理想选择。
ATF-38143-TR1G 主要用于需要低噪声和高增益的射频前端电路，如无线基站、卫星通信系统、雷达系统、测试与测量设备、毫米波通信系统以及点对点微波链路。此外，它还可用于医疗成像设备、高精度射频传感器和高频信号分析仪等应用。由于其出色的高频性能和低功耗特性，该器件也广泛应用于 5G 通信基础设施和高性能射频模块中。
ATF-38143-TR1G 可以被 ATF-38143 或 ATF-55143 等型号替代，具体取决于设计需求和工作频率范围。此外，类似性能的替代器件包括 HMC414LC3B、NE3210S01 和 BFU520W。
