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CBR08C360G1GAC 发布时间 时间:2025/12/24 15:19:00 查看 阅读:17

CBR08C360G1GAC 是一款肖特基二极管(Schottky Diode),主要应用于高频和低正向电压降的场景。肖特基二极管因其低功耗、快速开关速度和高效率而被广泛使用,特别适合于开关电源、DC-DC转换器、太阳能电池板以及各种电子设备中的整流电路。
  该型号属于 Vishay 或其他知名制造商的 CBR 系列,设计用于处理中等电流和较高反向电压的应用。

参数

最大正向电流:8A
  最大反向电压:360V
  正向电压降(典型值):0.57V
  反向漏电流(最大值,25℃):40uA
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-220FP

特性

CBR08C360G1GAC 具有以下显著特性:
  1. **低正向压降**:相比传统硅二极管,CBR08C360G1GAC 的正向电压较低,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. **快速恢复时间**:其快速开关能力使其非常适合高频应用环境,能够有效降低开关损耗。
  3. **高浪涌能力**:具有较强的瞬态电流承受能力,能够在短时过载条件下稳定运行。
  4. **高可靠性**:在高温环境下表现出色,适用于工业级或汽车级应用。
  5. **紧凑型封装**:采用 TO-220FP 封装,便于安装与散热设计。

应用

这款肖特基二极管适用于多种应用场景:
  1. **电源管理**:包括开关电源、线性稳压器、电池充电器等。
  2. **逆变器和转换器**:例如 DC-DC 转换器和 AC-DC 整流电路。
  3. **太阳能光伏系统**:用作旁路二极管或防反充保护。
  4. **电机驱动**:提供续流路径以防止电感负载引起的反向电压尖峰。
  5. **通用整流**:如信号整流、保护电路和功率整流等领域。

替代型号

根据具体需求,可以考虑以下替代型号:
  1. CBR8S360G:同样是 Vishay 的产品,具备相似的电气性能。
  2. MBR0836TMD:由 ON Semiconductor 提供,适用于类似的高压高频场合。
  3. STPS8H360CW:来自意法半导体,具备更高的浪涌能力。
  注意:选择替代品时需要确保其规格完全匹配实际应用条件,并验证是否满足系统的温度、频率及功率要求。

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CBR08C360G1GAC参数

  • 数据列表CBR08C360G1GAC
  • 标准包装4,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 电容36pF
  • 电压 - 额定100V
  • 容差±2%
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 尺寸/尺寸0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.035"(0.88mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-