时间：2025/12/28 18:01:34
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IS61VPS102418A-250B3I-TR是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）制造的高性能异步静态随机存取存储器（SRAM），属于高速、低功耗的异步SRAM系列。该芯片具有1Mbit（1024K x 18）的存储容量，适用于需要高速数据访问和可靠存储性能的应用场景。该器件采用先进的CMOS工艺制造，具有高可靠性和低功耗特性，广泛用于网络设备、工业控制、通信系统和嵌入式系统中。
容量：1Mbit（1024K x 18）
组织结构：x18
访问时间：250MHz（最大）
工作电压：2.3V至3.6V
工作温度范围：-40°C至+85°C（工业级）
封装类型：BGA
引脚数：100
封装尺寸：9mm x 11mm
读取电流（最大）：180mA
待机电流（最大）：10mA
IS61VPS102418A-250B3I-TR是一款高速异步SRAM，其最大访问时间为250MHz，能够满足高速数据缓存和临时存储的需求。
该器件采用低功耗CMOS工艺，在保证高速性能的同时实现了较低的功耗，特别适合电池供电或对功耗敏感的应用场景。
其宽电压范围（2.3V至3.6V）使其兼容多种电源设计，并增强了系统设计的灵活性。
该SRAM支持异步控制信号，包括地址、读写控制和片选信号，使其在接口设计上更为简便，适用于多种嵌入式系统和FPGA接口应用。
此外，该芯片采用工业级温度范围（-40°C至+85°C），适用于各种严苛的工业和通信环境，确保在高温或低温条件下仍能稳定运行。
其BGA封装形式不仅节省空间，而且具有良好的电气性能和散热能力，适合高密度PCB布局。
IS61VPS102418A-250B3I-TR常用于网络交换设备、路由器、通信模块、工业自动化控制系统、FPGA/CPLD接口缓存、图像处理设备以及嵌入式系统中的高速数据存储与缓存。
由于其高速访问和低功耗特性，也适用于需要快速响应和数据处理能力的测试设备、测量仪器和消费类电子产品。
此外，该SRAM可作为外部缓存存储器，与微控制器（MCU）、数字信号处理器（DSP）等配合使用，提高系统的数据吞吐能力和响应速度。
IS61VPS102418A-250B4I-TR, CY62157EV30LL-250BZXI, IDT71V1216SA250B8GI
