时间：2025/12/28 17:25:25
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IS61SP12836-200B 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速同步静态随机存取存储器（Sync SRAM）。该器件采用先进的CMOS工艺制造，提供高性能和低功耗的特性，适用于需要快速数据存取的通信、网络和工业控制应用。该SRAM具有128K x 36位的存储容量，支持同步操作，便于与高速处理器和控制器进行接口。
容量：128K x 36位
电压：3.3V
访问时间：200MHz
封装：209-BGA
数据总线宽度：36位
工作温度：商业级（0°C 至 +70°C）或工业级（-40°C 至 +85°C）
接口类型：Synchronous
封装类型：Ball Grid Array (BGA)
制造商：ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）
IS61SP12836-200B 是一款高性能的同步静态RAM，具备高速访问能力，最大频率可达200MHz。该芯片采用低功耗CMOS工艺，在保证高速性能的同时有效降低能耗，适合高密度和高性能的系统设计。其36位的数据总线宽度支持并行数据处理，适用于通信交换设备、路由器、工业控制和测试设备等需要高速缓存的应用场景。
这款SRAM支持同步操作，能够与主控设备的时钟同步，提高数据传输效率和系统稳定性。它还具有可预测的访问延迟和宽温度范围的选项，满足不同工业环境下的可靠性需求。此外，IS61SP12836-200B 的封装形式为209-BGA，有助于提高PCB布局的灵活性和系统集成度。
IS61SP12836-200B 适用于需要高速数据存储和快速访问的场合，如网络路由器、交换机、工业控制器、通信基站、测试与测量设备、视频处理系统以及高性能嵌入式系统。该SRAM可作为缓存存储器使用，用于提高系统性能和响应速度。
CY7C1380D-200BZC, IDT71V416S200BQG
