时间：2025/9/1 18:32:24
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IS61QDPB42M36A1-500B4L 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高性能双端口 SRAM（静态随机存取存储器）芯片。该芯片采用先进的 CMOS 技术制造，提供高速访问时间、低功耗和高可靠性，适用于需要高速数据存取的应用场景。IS61QDPB42M36A1-500B4L 的存储容量为 36Mb（42M x 36），支持同步双端口操作，允许两个独立的端口同时访问存储器，从而提高系统吞吐量。
容量：36Mb (42M x 36位)
电源电压：2.3V - 3.6V
访问时间：5.4ns
工作温度：-40°C ~ +85°C
封装类型：209-TQFP
接口类型：Synchronous
端口类型：Dual-Port
时钟频率：166MHz
IS61QDPB42M36A1-500B4L 的核心优势在于其同步双端口架构，能够实现两个端口独立且并发地访问内存，适用于多处理器系统、通信设备、网络交换机和图像处理等高性能应用场景。该芯片采用高速 CMOS 技术，提供低延迟和高速数据传输能力，最大访问时间仅为 5.4ns，确保了系统的实时性和高效性。
该器件支持异步和同步操作模式，允许灵活的系统设计。每个端口都有独立的地址、数据和控制信号，确保了两个处理器或控制器可以独立访问存储器，避免了资源竞争和数据冲突。此外，IS61QDPB42M36A1-500B4L 还具备低功耗特性，在高性能操作的同时减少了系统整体功耗，适合用于对能效有较高要求的应用。
封装方面，该芯片采用 209 引脚 TQFP 封装，适用于工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），确保在恶劣环境下的稳定运行。其高集成度和可靠性使其成为工业自动化、汽车电子、医疗设备和嵌入式系统等领域的理想选择。
IS61QDPB42M36A1-500B4L 主要用于需要高速双端口存储器的场合，如通信设备中的缓冲存储器、网络交换机的数据缓存、多处理器系统的共享内存、图像处理单元的帧缓存、工业控制系统中的高速数据采集与处理等。此外，该芯片也广泛应用于路由器、测试设备、雷达系统和视频处理设备中，提供高效的数据交换和存储能力。
IS61QDPB42M36A1-500B4I, IS61QDPB42M36A1-500GBL, CY7C1391BV25-500BZC, IDT70V631S166B8BG
