时间：2025/12/28 17:37:26
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IS61QDPB41M36A-450M3I 是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的高速、低功耗的双端口SRAM（静态随机存取存储器）芯片。该芯片专为高性能数据存储应用设计，具有高带宽和低延迟的特点，适用于需要快速数据访问的场景，如网络设备、通信系统、工业控制和嵌入式系统等。该SRAM芯片采用先进的CMOS工艺制造，具有较高的可靠性和稳定性。
容量：4Mbit
组织结构：1M x 36位
封装类型：BGA
工作温度范围：-40°C至+85°C
电源电压：2.3V至3.6V
最大访问时间：4.5ns
最大频率：166MHz
输入/输出类型：LVTTL兼容
功耗：典型值为150mA（待机模式下为10mA）
IS61QDPB41M36A-450M3I 是一款高性能的双端口SRAM，具备两个独立的数据端口，允许同时访问同一存储器，从而显著提高数据吞吐量。该芯片的访问时间为4.5ns，支持高达166MHz的工作频率，适用于需要高速数据处理的应用场景。其采用LVTTL电平兼容接口，便于与各种逻辑电路集成。芯片的电源电压范围为2.3V至3.6V，具有良好的电源适应性，并支持低功耗待机模式，适用于对功耗敏感的设计。该SRAM还具备自动刷新功能和内置的错误检测机制，确保数据的完整性。其BGA封装形式不仅节省空间，还提供了良好的散热性能，适用于高密度电路板设计。
IS61QDPB41M36A-450M3I 主要应用于高速缓存、帧缓冲器、路由器和交换机中的数据包缓冲、工业控制系统的实时数据处理、医疗成像设备的数据存储、通信设备中的信号处理以及嵌入式系统中的临时数据存储等场景。
IS61QDPB41M36A-450M3E, IS61QDPB41M36A-450MAI, CY7C1395B-450BZC, IDT70V25S36PFG450
