时间：2025/9/1 17:56:55
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IS61QDB42M36A-300M3L 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速、低功耗的4Mbit（36位宽）高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。这款SRAM器件采用先进的CMOS技术制造，专为高性能系统缓存和数据缓冲应用设计。该芯片支持异步操作，具有高速访问时间，非常适合需要快速数据存取的场合。IS61QDB42M36A-300M3L采用165引脚BGA封装，适用于工业级温度范围（-40°C至+85°C），适用于通信、网络设备、工业控制等高端应用。
容量：4Mbit
组织方式：36位（x36）
访问时间：3.0ns（最大）
工作电压：2.3V至3.6V
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：165引脚BGA
封装尺寸：11mm x 13mm
工艺技术：CMOS
接口类型：异步
最大工作频率：166MHz
输入/输出电平：TTL兼容
功耗：典型值约150mA（待机模式下<10mA）
IS61QDB42M36A-300M3L 是一款高性能的36位宽异步SRAM芯片，具备高速访问时间和低功耗特性，适用于对数据吞吐量要求较高的系统架构。
该芯片采用先进的CMOS制造工艺，确保了高稳定性和低噪声性能，能够在2.3V至3.6V的宽电压范围内正常工作，适应多种电源设计需求。其高速访问时间为3.0ns，使得该芯片在高达166MHz的工作频率下仍能保持稳定的数据读写性能。
IS61QDB42M36A-300M3L 采用165引脚BGA封装，尺寸小巧（11mm x 13mm），便于在高密度PCB设计中使用。该封装还具有良好的热性能和电气性能，适合工业级温度范围（-40°C至+85°C）下的稳定运行，适用于工业自动化、网络设备、通信基础设施等对可靠性要求较高的应用场景。
此外，该芯片支持TTL电平输入/输出，兼容多种控制器接口，简化了系统集成。其低待机电流（<10mA）设计有助于降低系统整体功耗，提高能效。芯片内部还集成了自动省电模式，当没有访问操作时自动进入低功耗状态，进一步提升能效比。
IS61QDB42M36A-300M3L 的36位宽数据总线设计，使其在需要大量并行数据处理的系统中表现出色，例如高速缓存、图像处理、数据缓冲等应用。其高可靠性、高速度和低功耗的综合优势，使其成为高端嵌入式系统和工业设备的理想选择。
IS61QDB42M36A-300M3L 主要应用于需要高速数据访问和大容量缓存的嵌入式系统、工业控制设备、通信基础设施、网络交换设备、图像处理系统以及高性能计算模块。其36位宽数据接口特别适合需要并行处理大量数据的应用，如路由器、交换机、测试测量仪器、自动化控制系统等。此外，该芯片也广泛用于需要高速缓存的FPGA和ASIC协处理系统中。
IS61QDB42M36A-300M3LI, CY7C1364C-300BZC, IDT71V424S300B8YI, IS61LV42M36A-300M3L
