时间：2025/8/18 11:08:27
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IS61QDB22M18C-250M3LI是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速、低功耗、CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该型号属于同步突发SRAM类别，具有高性能和高可靠性的特点，适用于需要快速数据访问的嵌入式系统和网络通信设备。IS61QDB22M18C-250M3LI采用先进的制造工艺，提供高速存取时间和低功耗操作，非常适合对性能和功耗有严格要求的应用场景。
类型：同步突发SRAM
容量：2M x 18位（共36Mb）
电源电压：2.3V至3.6V
工作温度范围：-40°C至+85°C（工业级）
封装类型：165-TSOP（Thin Small Outline Package）
访问时间：250MHz
数据速率：250MHz
时钟频率：最大250MHz
I/O接口：LVTTL兼容
工作模式：异步/同步模式
读写操作：支持读写同时操作
功耗：典型工作电流约150mA
IS61QDB22M18C-250M3LI是一种高性能同步突发SRAM，具有高速存取能力和低功耗设计。该芯片支持高达250MHz的时钟频率，使得数据访问速度非常快，适用于高速缓存和实时系统。其2M x 18位的存储结构提供了36Mb的总容量，能够满足高带宽数据处理的需求。此外，该SRAM支持LVTTL接口标准，兼容广泛的标准逻辑电平，简化了与外围设备的连接。其封装为165-TSOP，适合高密度PCB布局。
该器件采用低功耗CMOS工艺，在高速运行的同时保持较低的功耗水平，适用于便携式设备和工业控制系统。其工业级温度范围（-40°C至+85°C）确保在严苛环境下的稳定运行。IS61QDB22M18C-250M3LI还支持同步和异步两种操作模式，提高了应用的灵活性。此外，它具备读写同时操作能力，可以在一个时钟周期内完成读写操作，提高系统性能。
IS61QDB22M18C-250M3LI适用于多种需要高速存储器的电子系统，包括网络设备（如路由器和交换机）、通信设备（如基站和无线接入点）、工业控制系统、测试与测量设备、嵌入式系统中的高速缓存以及视频处理设备。由于其高速存取能力和低功耗特性，该SRAM芯片在高性能计算和实时数据处理领域中表现优异。
IS61QDB22M18C-250M3C, IS61LV25616-10T, CY7C1361BV25-166BZXC
