时间：2025/9/1 8:44:06
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IS61QDB21M18A-250B4LI 是由Integrated Silicon Solution (ISSI)公司生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件属于异步SRAM系列，具有高可靠性和高性能，适用于需要高速数据存储和快速访问的应用场景。该芯片采用CMOS技术制造，具备低功耗特性，同时支持商业级和工业级温度范围，确保在不同环境下的稳定运行。
类型：异步SRAM
容量：256K x 18位（9MB）
电压范围：2.3V 至 3.6V
访问时间：250MHz（最快）
封装类型：165-TQFP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C（工业级）
数据总线宽度：18位
组织结构：256K x 18
封装尺寸：24mm x 24mm
封装引脚数：165
读取电流（最大）：180mA
待机电流（最大）：10mA
IS61QDB21M18A-250B4LI 是一款专为高速数据存储设计的异步SRAM芯片。其最大访问速度可达250MHz，适合需要快速数据存取的应用，如网络设备、工业控制、通信系统等。芯片采用先进的CMOS工艺制造，具有较低的功耗，在待机模式下电流消耗极低，有助于降低整体系统功耗。
该SRAM芯片提供18位数据总线宽度，容量为256K x 18位，总共可存储约9MB的数据。这种配置使其适用于需要大量高速存储的应用，例如图像处理、高速缓存和嵌入式系统。
封装方面，该芯片采用165引脚TQFP封装，尺寸为24mm x 24mm，适合高密度PCB布局。同时，该器件支持-40°C至+85°C的工业级温度范围，确保其在严苛环境下依然稳定工作。
IS61QDB21M18A-250B4LI 支持独立的片选（CE）和输出使能（OE）控制，允许灵活的系统设计。其地址和数据引脚分离，便于与多种微处理器和控制器连接，广泛适用于各种嵌入式系统和数据缓冲应用。
此外，该芯片通过了JEDEC标准认证，具备良好的兼容性和可靠性，适用于长期运行的工业和通信设备。
IS61QDB21M18A-250B4LI 主要用于对数据存储速度和可靠性有较高要求的场合。常见的应用包括路由器和交换机的数据缓存、工业控制系统的临时存储、医疗成像设备中的图像缓冲、通信基站的信号处理缓存等。此外，该芯片也适用于嵌入式系统的高速缓存或临时数据存储单元。
IS61QDB21M18A-250B4TI、IS61QDB21M18A-250BLL、IS61WDB21M18A-250B4LI
