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W631GG6KB11I TR 发布时间 时间:2025/8/20 14:00:22 查看 阅读:11

W631GG6KB11I TR是一款由Winbond公司制造的高性能、低功耗的NOR闪存芯片,适用于需要高速代码执行和可靠数据存储的应用场景。

参数

容量: 1Gb (128MB)
  电压范围: 1.65V - 3.6V
  接口类型: SPI (Serial Peripheral Interface)
  工作温度范围: -40°C 至 +85°C
  封装类型: WLCSP (晶圆级芯片尺寸封装)
  读取速度: 高达166MHz
  擦写周期: 100,000 次

特性

W631GG6KB11I TR NOR闪存芯片的主要特性是其高容量和低功耗设计,使其非常适合用于便携式设备和物联网(IoT)应用。
  这款芯片支持标准、双输出、双输入/输出(SPI, Dual SPI, Quad SPI)模式,提供灵活的数据传输选项。
  此外,它具有卓越的耐用性和数据保留能力,可确保长时间运行的可靠性。
  该芯片还内置错误校正码(ECC)功能,以提高数据完整性和存储可靠性。
  其小型WLCSP封装节省了宝贵的PCB空间,并降低了整体设计复杂性。

应用

W631GG6KB11I TR NOR闪存芯片广泛应用于智能手机、平板电脑、数字电视、网络设备、工业控制系统以及汽车电子系统中。
  在这些应用中,它通常用于存储启动代码、固件、操作系统映像以及关键的用户数据。
  由于其宽温范围和高可靠性,它也适用于恶劣环境中的嵌入式系统和工业自动化设备。
  此外,该芯片也常用于需要快速启动和高效执行的实时系统,如物联网网关和智能穿戴设备。

替代型号

IS25LP128F, MX25U12355, S25FL128S, GD25Q128C

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W631GG6KB11I TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织64M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-WBGA(9x13)