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IS61NVP25672-200B1I 发布时间 时间:2025/12/28 17:53:04 查看 阅读:25

IS61NVP25672-200B1I 是一颗由Integrated Silicon Solution (ISSI)制造的高速、低功耗、异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片,常用于需要高性能数据存储的应用场景。该芯片具有256K x 72位的存储容量,工作电压为3.3V,支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),适用于工业控制、网络设备、通信系统以及嵌入式系统等应用场景。IS61NVP25672-200B1I采用先进的CMOS工艺制造,提供高性能和可靠性。

参数

容量:256K x 72位
  电压:3.3V
  访问时间:200MHz
  封装:209引脚 BGA
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  接口类型:异步
  数据宽度:72位
  封装尺寸:19mm x 22mm
  工作电流:典型值120mA(待机模式下电流<10mA)

特性

IS61NVP25672-200B1I是一款高性能的异步SRAM芯片,具备高速访问时间和低功耗特性。该芯片的访问时间为200MHz,确保了系统在高速运行时的稳定性和响应能力。其采用的CMOS工艺不仅降低了功耗,还提高了芯片的抗干扰能力和稳定性。在电源管理方面,该芯片支持低功耗待机模式,在待机状态下电流消耗低于10mA,非常适合需要节能设计的应用场景。
  该芯片的256K x 72位存储架构使其适用于需要大量数据缓存和快速访问的应用,如网络交换设备、工业控制系统和嵌入式处理器系统。其72位的数据宽度设计支持ECC校验功能,有助于提升数据完整性和系统稳定性。
  此外,IS61NVP25672-200B1I采用209引脚BGA封装,具有良好的散热性能和空间利用率,适用于高密度PCB设计。该封装方式也提高了芯片的可靠性和抗机械应力能力,适合在严苛的工业环境中使用。

应用

IS61NVP25672-200B1I广泛应用于各种高性能嵌入式系统和工业控制设备中。常见的应用包括网络路由器和交换机中的高速缓存存储器、工业自动化控制系统中的数据缓冲、嵌入式处理器系统中的临时数据存储、通信设备中的帧缓存和协议处理等。该芯片的高稳定性和低功耗特性也使其适用于长时间运行的无人值守设备,如远程监控系统和智能电表。此外,由于其支持工业级温度范围,IS61NVP25672-200B1I也常用于汽车电子系统和户外通信设备中。

替代型号

IS61NLP25672-200B1I, IS61WV25672-200B1I

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IS61NVP25672-200B1I参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 同步,SDR
  • 存储容量18Mb
  • 存储器组织256K x 72
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率200 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间3.1 ns
  • 电压 - 供电2.375V ~ 2.625V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳209-BGA
  • 供应商器件封装209-LFBGA(14x22)