时间：2025/7/23 3:47:42
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STB50NE10是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有高电流处理能力和低导通电阻，适用于各种高效率开关电源、DC-DC转换器和电机控制电路。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
漏极电流（Id）：50A
导通电阻（Rds(on)）：最大值25mΩ（典型值）
栅极电压（Vgs）：±20V
功率耗散（Ptot）：300W
工作温度范围：-55°C至+175°C
STB50NE10具有低导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗并提高系统效率。
其高电流容量（50A）使其能够处理大功率负载，适用于高要求的功率管理应用。
该MOSFET还具备良好的热稳定性和抗过载能力，确保在高负载条件下稳定运行。
封装形式为TO-247，具有良好的散热性能，便于在高功率应用中使用。
此外，STB50NE10的栅极驱动电压范围宽，支持快速开关操作，减少开关损耗。
STB50NE10广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器和逆变器等功率电子设备中。
它也常用于工业自动化设备、电动工具、电源适配器和UPS（不间断电源）系统中，提供高效的功率控制解决方案。
此外，该器件还可用于电池管理系统和汽车电子设备中的高功率开关应用。
IRF3710, FDP50N10, STP55NF06
