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IS61NVP25672-200B1 发布时间 时间:2025/12/28 17:47:55 查看 阅读:32

IS61NVP25672-200B1 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件具有256K x 72位的存储容量,适用于需要高速数据访问和低功耗的应用场景。IS61NVP25672-200B1采用先进的CMOS工艺制造,具备高可靠性和稳定性,适用于工业级温度范围(-40°C至+85°C)。该器件广泛应用于网络设备、通信系统、工业控制和嵌入式系统等领域。

参数

容量:256K x 72位
  访问时间:200MHz
  电源电压:2.3V至3.6V
  封装类型:BGA
  引脚数:165
  工作温度范围:-40°C至+85°C
  数据宽度:72位
  输入/输出电压兼容性:3.3V和5V兼容
  功耗(典型值):待机电流 < 10mA
  封装尺寸:11mm x 13mm

特性

IS61NVP25672-200B1 的主要特性包括高速访问时间(最快可达200MHz),适用于需要快速数据存取的应用场景。该芯片采用低功耗设计,在待机模式下电流消耗极低,有助于延长设备的电池寿命。其CMOS制造工艺确保了器件在高温环境下仍能保持稳定运行,适用于工业控制、通信设备和嵌入式系统等对可靠性要求较高的场合。此外,该器件支持多种电源电压输入(2.3V至3.6V),提高了设计灵活性,并且具备3.3V和5V输入/输出接口兼容性,能够方便地与不同类型的控制器或系统集成。IS61NVP25672-200B1 还具备优异的抗干扰性能,确保在复杂电磁环境中数据的稳定性和完整性。其BGA封装形式不仅节省空间,还提升了热管理和高频性能,适合高密度PCB布局需求。整体而言,IS61NVP25672-200B1 是一款高性能、高可靠性的SRAM芯片,适用于各种高端工业和通信应用。

应用

IS61NVP25672-200B1 适用于多种高性能嵌入式系统和工业应用。其高速访问时间和低功耗特性使其成为网络路由器、交换机和通信设备中理想的缓存存储器。在工业控制系统中,该芯片可用于实时数据处理和缓存,提高系统的响应速度和稳定性。此外,该器件也适用于高端嵌入式处理器系统,如智能卡终端、工业自动化设备和测试测量仪器。由于其支持宽温度范围和高可靠性,IS61NVP25672-200B1 还可用于航空航天和汽车电子等对环境适应性要求较高的领域。在需要高速数据传输和低延迟的场合,如视频处理、图像缓存和数据采集系统中,该SRAM芯片也具有广泛的应用前景。

替代型号

CY7C1380D-200BZC、IDT71V416S200BQG、IS61WV25672-200B1

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IS61NVP25672-200B1产品

IS61NVP25672-200B1参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 同步,SDR
  • 存储容量18Mb
  • 存储器组织256K x 72
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率200 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间3.1 ns
  • 电压 - 供电2.375V ~ 2.625V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳209-BGA
  • 供应商器件封装209-LFBGA(14x22)