时间：2025/9/1 15:19:21
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IS61NLP25636A-200B3LI-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速、低功耗的异步静态随机存取存储器（Static RAM, SRAM）芯片。该型号属于高性能的SRAM系列，广泛应用于网络设备、工业控制、通信系统以及需要快速数据访问的嵌入式系统中。IS61NLP25636A-200B3LI-TR 提供了256K x 36位的存储容量，适用于需要高带宽和低延迟的场景。
容量：256K x 36位
访问时间：200MHz
电压范围：2.3V - 3.6V
封装类型：165-TQFP
温度范围：-40°C 至 +85°C
数据宽度：36位
封装尺寸：24mm x 24mm
功耗：低功耗设计
IS61NLP25636A-200B3LI-TR 是一款高性能的异步SRAM芯片，具备高速存取能力和广泛的温度适应性。其访问时间为200MHz，能够满足对时间要求严格的高速系统应用需求。芯片采用低功耗设计，在保持高性能的同时有效降低功耗，适合用于对能效有要求的系统中。该SRAM芯片支持2.3V至3.6V的宽电压范围，增强了其在不同电源条件下的适用性。此外，它采用165引脚的TQFP封装，具有较高的封装密度和良好的热稳定性，适合在空间受限的嵌入式系统中使用。
该芯片还具备较高的可靠性和稳定性，能够在工业级温度范围（-40°C至+85°C）下正常运行，适用于工业控制、通信设备和汽车电子等严苛环境下的应用。IS61NLP25636A-200B3LI-TR 无需刷新电路即可维持数据存储，简化了系统设计并提高了整体性能。同时，其36位的数据宽度设计支持并行数据处理，进一步提升了数据吞吐能力。
IS61NLP25636A-200B3LI-TR 主要应用于需要高速数据缓存和存储的系统中，例如路由器和交换机中的数据缓冲、工业控制系统的实时数据存储、通信设备的临时数据处理、嵌入式系统的高速缓存以及汽车电子中的数据存储模块。此外，该芯片也可用于视频处理设备、测试设备和测量仪器等高性能需求的领域。
CY62148EAPLL-45BZE、IDT71V416SA200B8GI、IS64SRX12836A-200M4BLI-TR
