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IS61NLP25636A-200B3LI-TR 发布时间 时间:2025/9/1 15:19:21 查看 阅读:8

IS61NLP25636A-200B3LI-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的异步静态随机存取存储器(Static RAM, SRAM)芯片。该型号属于高性能的SRAM系列,广泛应用于网络设备、工业控制、通信系统以及需要快速数据访问的嵌入式系统中。IS61NLP25636A-200B3LI-TR 提供了256K x 36位的存储容量,适用于需要高带宽和低延迟的场景。

参数

容量:256K x 36位
  访问时间:200MHz
  电压范围:2.3V - 3.6V
  封装类型:165-TQFP
  温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据宽度:36位
  封装尺寸:24mm x 24mm
  功耗:低功耗设计

特性

IS61NLP25636A-200B3LI-TR 是一款高性能的异步SRAM芯片,具备高速存取能力和广泛的温度适应性。其访问时间为200MHz,能够满足对时间要求严格的高速系统应用需求。芯片采用低功耗设计,在保持高性能的同时有效降低功耗,适合用于对能效有要求的系统中。该SRAM芯片支持2.3V至3.6V的宽电压范围,增强了其在不同电源条件下的适用性。此外,它采用165引脚的TQFP封装,具有较高的封装密度和良好的热稳定性,适合在空间受限的嵌入式系统中使用。
  该芯片还具备较高的可靠性和稳定性,能够在工业级温度范围(-40°C至+85°C)下正常运行,适用于工业控制、通信设备和汽车电子等严苛环境下的应用。IS61NLP25636A-200B3LI-TR 无需刷新电路即可维持数据存储,简化了系统设计并提高了整体性能。同时,其36位的数据宽度设计支持并行数据处理,进一步提升了数据吞吐能力。

应用

IS61NLP25636A-200B3LI-TR 主要应用于需要高速数据缓存和存储的系统中,例如路由器和交换机中的数据缓冲、工业控制系统的实时数据存储、通信设备的临时数据处理、嵌入式系统的高速缓存以及汽车电子中的数据存储模块。此外,该芯片也可用于视频处理设备、测试设备和测量仪器等高性能需求的领域。

替代型号

CY62148EAPLL-45BZE、IDT71V416SA200B8GI、IS64SRX12836A-200M4BLI-TR

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IS61NLP25636A-200B3LI-TR参数

  • 制造商ISSI
  • 产品种类静态随机存取存储器
  • 存储容量9 Mbit
  • 访问时间3.1 ns
  • Supply Voltage - Max2.625 V
  • Supply Voltage - Min2.375 V
  • 最大工作电流280 mA
  • 最大工作温度+ 85 C
  • 最小工作温度- 40 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体BGA
  • 封装Reel
  • 最大时钟频率200 MHz
  • 端口数量4
  • 工厂包装数量2000
  • 类型Synchronous