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IS61NLP102418-200B3-TR 发布时间 时间:2025/12/28 18:01:24 查看 阅读:40

IS61NLP102418-200B3-TR 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速、低功耗的静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于ISSI的高性能异步SRAM产品线,广泛用于需要快速数据存取和高可靠性的应用,例如网络设备、通信基础设施、工业控制系统和高端嵌入式系统。

参数

容量:1Mbit(1024K x 18位)
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  访问时间:200MHz(最快)
  封装类型:165引脚 BGA
  工作温度范围:工业级 -40°C 至 +85°C
  接口类型:并行异步接口
  读写模式:异步读写操作
  功耗:低待机电流,典型值小于10mA

特性

IS61NLP102418-200B3-TR 是一款基于ISSI先进CMOS工艺制造的高性能异步SRAM芯片,具有出色的稳定性和高速访问能力。该芯片的18位数据总线宽度支持更宽的数据处理,适用于需要高带宽的应用场景。其200MHz的访问时间确保了快速的数据读写能力,同时在低电压范围内(2.3V至3.6V)运行,提高了系统的兼容性和能效。此外,IS61NLP102418-200B3-TR 的封装设计紧凑,采用165引脚BGA封装形式,适合在空间受限的PCB设计中使用。它具备工业级温度范围(-40°C至+85°C),确保在严苛环境下仍能稳定工作,因此广泛应用于工业控制、网络交换、通信模块等关键系统中。其低待机电流特性也使其适合用于对功耗敏感的设计中,例如电池供电设备或需长时间运行的嵌入式系统。
  该芯片的异步接口设计使其能够灵活地与各种处理器和控制器配合使用,无需额外的时钟信号控制,简化了系统设计。此外,ISSI在SRAM领域的多年经验确保了该芯片在抗干扰性、数据保持能力和长期稳定性方面表现优异,适合用于对可靠性要求极高的应用场景。IS61NLP102418-200B3-TR 通常被用作高速缓存、数据缓冲或临时存储器,以提升系统的整体性能和响应速度。

应用

IS61NLP102418-200B3-TR 主要应用于高性能嵌入式系统、通信基础设施设备(如路由器和交换机)、工业自动化控制系统、测试与测量仪器、网络处理器模块以及需要快速数据存取的消费类电子产品中。其高可靠性与宽温工作范围也使其适用于汽车电子系统中的某些模块,如车载信息娱乐系统和高级驾驶辅助系统(ADAS)中的缓存单元。

替代型号

IS61NLP102418-200B4-TR, CY7C1041GN30-200BGC, IDT71V124SA200B8GI

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IS61NLP102418-200B3-TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式SRAM
  • 技术SRAM - 同步,SDR
  • 存储容量18Mb
  • 存储器组织1M x 18
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率200 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间3.1 ns
  • 电压 - 供电3.135V ~ 3.465V
  • 工作温度0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳165-TBGA
  • 供应商器件封装165-TFBGA(13x15)