时间：2025/12/28 18:45:11
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IS61NLF12836 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该SRAM芯片具有高速访问时间和低功耗的特点，适用于需要快速数据存取和高可靠性的应用场景。IS61NLF12836 的存储容量为 128K x 36 位，即总共可以存储 4.5 兆位（4.5Mb）的数据。这款芯片广泛用于网络设备、工业控制系统、测试设备、通信设备等高性能系统中。
类型：SRAM
容量：128K x 36 位（4.5Mb）
电源电压：3.3V
访问时间：10ns、12ns、15ns 等多种速度等级可选
封装类型：多种封装可选（如 100-TSOP、100-BGA 等）
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）或商业级（0°C 至 +70°C）
接口类型：并行接口
数据宽度：36 位
功耗：低功耗CMOS工艺
IS61NLF12836 采用高性能CMOS工艺制造，具有非常快的访问时间，支持高速数据读取和写入，适用于需要实时数据处理的应用。其低功耗特性在高频率工作状态下也能保持良好的能效比。该芯片具有异步控制信号，支持地址线和数据线的独立控制，允许灵活的存储器接口设计。此外，它还支持多种封装形式，适应不同应用场景的PCB布局需求。IS61NLF12836 提供了广泛的温度范围选项，确保在恶劣环境下的稳定运行。该SRAM芯片具有高可靠性，适用于工业自动化、网络交换、图像处理等关键任务系统。
IS61NLF12836 的异步控制逻辑允许其与多种处理器和控制器无缝连接，无需额外的时序控制逻辑。其高数据带宽和低延迟特性使其成为高性能嵌入式系统的理想选择。该芯片的36位宽数据总线支持大容量数据传输，适合需要高吞吐量的应用，如帧缓冲器、数据缓存和高速缓冲存储器。
IS61NLF12836 被广泛应用于网络设备（如路由器和交换机）、工业控制与自动化设备、通信基础设施（如基站和传输设备）、测试与测量仪器、图像处理设备、嵌入式系统以及高性能计算模块等。其高速、低功耗和大容量的特点使其非常适合需要快速数据访问的场合。
IS61NLF12836A、IS61NLF12836B、IS61LV12836、IS61WV12836
