时间：2025/12/28 18:38:18
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IS61LV6416-10TL是一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造。该器件采用高性能CMOS技术制造，提供高速的数据访问能力，适用于需要高性能和低功耗的应用场景。IS61LV6416-10TL的存储容量为64K x 16位，即总共1Mbit的存储空间，工作电压通常为3.3V或5V，具体取决于型号。
容量：64K x 16位
电压：3.3V 或 5V（取决于具体型号）
访问时间：10ns
封装：TSOP
引脚数：54
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
数据宽度：16位
封装类型：表面贴装
接口类型：并行
IS61LV6416-10TL的主要特性包括高速访问时间（10ns），这使其适用于需要快速数据存取的系统。其CMOS制造工艺不仅保证了低功耗操作，还提高了抗噪能力。该芯片支持异步操作，允许灵活的数据访问模式，并具有低待机电流特性，有助于延长便携式设备的电池寿命。
此外，该SRAM芯片采用TSOP封装，适用于高密度PCB布局，同时具备良好的热稳定性和机械可靠性。其工业级温度范围（-40°C 至 +85°C）使其适用于各种苛刻环境下的应用。IS61LV6416-10TL还具有高噪声抑制能力和高可靠性的特点，适用于长时间运行的系统。
IS61LV6416-10TL广泛应用于需要高速缓存和临时数据存储的场合。典型应用包括网络设备、工业控制系统、通信模块、图像处理设备、嵌入式系统以及测试与测量仪器。由于其高速度和低功耗特性，该芯片也常用于消费类电子产品，如打印机、扫描仪和高端游戏设备。在嵌入式系统中，IS61LV6416-10TL常作为外部高速缓存使用，以提高系统性能。
IS61LV6416-10TLLI, CY62167VLL, IDT71V6416, A6216C, IS61LV6416-12TL
