IS61LV51216-8TL是一款由ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的高速异步静态随机存取存储器(SRAM),容量为512K x 16位,总共提供8Mbit的存储空间。该芯片采用高性能的CMOS工艺制造,具有低功耗和高速访问的特性,适用于需要高速存储访问的嵌入式系统和通信设备。这款SRAM的访问时间仅为8纳秒,能够满足高速缓存和实时数据存储的需求。
容量:512K x 16位
访问时间:8ns
工作电压:3.3V
封装类型:TSOP
温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
接口类型:并行异步接口
封装尺寸:54引脚 TSOP
最大工作频率:约125MHz
输入/输出电平:TTL兼容
IS61LV51216-8TL SRAM芯片采用了先进的CMOS技术,使其在保持低功耗的同时,能够实现高速数据访问。其8ns的访问时间使得该芯片适用于高性能嵌入式系统、网络设备、工业控制和汽车电子等应用场景。芯片支持TTL电平输入信号,兼容多种处理器和控制器,便于集成到各种系统中。
该SRAM器件在电源管理方面表现出色,待机电流极低,适合对功耗有严格要求的设计。此外,其54引脚TSOP封装不仅节省空间,还提高了热稳定性和可靠性,特别适合工业级温度范围(-40°C至+85°C)下的应用。芯片内部结构优化,具备良好的抗干扰能力,确保数据的稳定读写。
IS61LV51216-8TL广泛应用于通信设备、工业控制、网络设备、汽车电子、医疗设备以及高端消费电子产品中。例如,该芯片可用于路由器和交换机的数据缓存,工业PLC控制器的程序存储,车载信息娱乐系统的临时数据存储,以及测试测量设备的高速缓冲存储器。由于其高速性和低功耗特性,也适合用于图像处理、音频处理和实时控制等对数据吞吐量要求较高的场合。
IS61LV51216-8TLI、IS61LV51216-10BLL、CY62157EV30LL-8SC、IDT71V416S12PHG、AS7C35166B-8TC、IS64LV102416A-8TL