时间：2025/9/1 9:10:28
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IS61LV12816L-8T是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution Inc.）制造的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为128K x 16位，采用高速CMOS工艺制造，适用于需要快速数据访问的嵌入式系统和工业控制设备。该芯片的工作电压为3.3V，支持异步操作，适用于各种需要高速存储的应用场景。
类型：异步SRAM
容量：128K x 16位（2Mbit）
工作电压：3.3V（典型值）
访问时间：8ns
封装形式：52-TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
接口类型：并行异步接口
数据输入/输出：16位宽
封装尺寸：标准TSOP封装
封装引脚数：52
封装材料：塑料
IS61LV12816L-8T具备高速访问能力，访问时间仅为8ns，适用于需要高性能数据存储的应用。该芯片采用低功耗CMOS技术，在保持高速的同时有效降低功耗。其52-TSOP封装形式适用于空间有限的电路板设计，并具有良好的热稳定性和机械可靠性。此外，该SRAM芯片具备宽温工作能力，适合在工业环境或恶劣条件下稳定运行。由于其异步接口设计，兼容性强，可以方便地与多种处理器和控制器连接，适用于网络设备、工业控制系统、通信模块和嵌入式系统等应用领域。
IS61LV12816L-8T广泛应用于需要高速数据缓存和临时存储的场合，例如网络路由器和交换机中的数据缓冲、工业自动化设备中的程序存储、通信设备中的帧缓存、测试测量仪器中的高速数据记录，以及嵌入式系统中的临时数据存储。该芯片也常用于图像处理模块、数据采集系统和实时控制系统等需要快速读写存储的应用。
IS61LV12816-8TLI, CY62148EVLL-8ZS, IDT71V128SA8PFGI, IS61WV12816B-8T
