时间：2025/4/27 18:40:10
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IS61LV12816L-10TLI 是一款低电压、高性能的静态随机存取存储器（SRAM），由 ISSI 公司生产。该器件具有 1M x 16 的存储容量，适用于需要快速数据访问和高可靠性的应用场合。其采用 CMOS 工艺制造，具备低功耗和高速操作的特点。
该 SRAM 器件支持单周期存取时间，非常适合用于网络设备、通信系统、消费电子以及工业控制等领域。
工作电压：1.7V 至 1.9V
存储容量：1M x 16
存取时间：10ns
数据保持时间：无限
封装类型：TQFP-44
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
引脚数：44
输入输出配置：16位并行接口
IS61LV12816L-10TLI 提供低功耗特性和宽泛的工作电压范围，确保在不同应用环境中的稳定运行。它采用了同步写入机制，可防止数据丢失或损坏，并且具有自动省电模式，在空闲状态下显著降低功耗。
此外，该芯片具有出色的抗干扰能力，能够在恶劣环境中维持正常工作。其高速存取时间和稳定的性能使其成为高性能系统设计的理想选择。
主要特性包括：
- 高速存取时间，适合实时应用
- 自动节电功能，优化能耗
- 单周期读/写操作
- 宽工作电压范围
- 稳定的数据保持能力
IS61LV12816L-10TLI 广泛应用于对速度和可靠性要求较高的领域，例如：
1. 路由器和交换机等网络设备中的临时数据缓存。
2. 嵌入式系统的本地存储需求。
3. 视频处理设备中的帧缓冲存储。
4. 工业控制系统中的数据记录与暂存。
5. 消费电子产品中的程序代码和数据存储。
由于其高速度和低功耗特点，该器件特别适合需要频繁数据交互和长时间运行的应用场景。
IS61LV12816LL-10BUL, CY7C1021V33-10SC
