时间：2025/8/25 6:33:40
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HGTP3N60B3D是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）制造的N沟道功率MOSFET。该器件专为高电压和高电流应用而设计，具有卓越的导通性能和开关特性，适用于各种电源管理及功率转换系统。HGTP3N60B3D采用了先进的MOSFET制造技术，提供了低导通电阻、高击穿电压和高可靠性。该器件通常采用TO-220封装，便于散热并适用于紧凑型电路设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
漏极电流（Id）：3A
导通电阻（Rds(on)）：约2.7Ω（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
最大功率耗散（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
漏源击穿电压（BVDSS）：600V
栅极电荷（Qg）：约24nC
输入电容（Ciss）：约820pF
HGTP3N60B3D具有多项优异的电气和机械特性，使其成为高性能功率应用的理想选择。首先，其漏源电压高达600V，能够承受高压环境下的工作条件，确保器件在极端电压下仍能稳定运行。其次，该MOSFET的最大漏极电流为3A，在高电流负载下仍能保持较低的导通损耗。导通电阻（Rds(on)）的典型值为2.7Ω，这有助于降低功率损耗，提高整体效率。此外，该器件的栅极电荷较低，有助于提高开关速度并减少开关损耗，适用于高频开关应用。
HGTP3N60B3D还具备良好的热稳定性，其封装设计有助于有效散热，避免因高温导致的性能下降或器件损坏。TO-220封装结构坚固，适用于各种工业级环境，同时便于安装和散热器连接。此外，该MOSFET的输入电容较小，有助于减少高频工作下的信号延迟和失真，提高系统的响应速度。
该器件还具备较高的抗雪崩能力，能够在突发高能电压下保持稳定运行，增强系统的可靠性。此外，HGTP3N60B3D的栅极阈值电压范围为2V至4V，适用于多种驱动电路，兼容标准逻辑电平驱动器，从而简化了控制电路的设计。
HGTP3N60B3D广泛应用于多种电力电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机驱动器、照明控制系统以及电池管理系统等。其高耐压和低导通电阻特性使其在电源转换器中表现出色，特别是在需要高效能和高可靠性的场合，如工业自动化设备、家电控制电路、通信电源模块以及新能源系统中的逆变器和充电器。
在开关电源应用中，HGTP3N60B3D可用于构建高效能的功率因数校正（PFC）电路，提高电源的转换效率并减少能量损耗。在电机控制和驱动应用中，该器件可作为主开关元件，实现对电机速度和方向的精确控制。此外，该MOSFET还可用于LED照明系统中的恒流驱动电路，确保光源的稳定性和长寿命。
FQP3N60C、IRF840、STP3NA60E、2SK2141
