时间：2025/9/1 13:50:20
阅读：15
IS61LV12816-12LQ是一款高速、低功耗的CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片，由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）公司生产。该芯片具有128K x 16位的存储容量，适用于需要高速数据存取的应用场景。IS61LV12816-12LQ采用55nm工艺制造，具备高性能和低功耗的特点，适用于工业、通信、网络设备以及嵌入式系统等应用。
容量：128K x 16位
电源电压：2.3V - 3.6V
访问时间：12ns
封装类型：LQFP
引脚数：54
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装尺寸：14mm x 20mm
最大工作频率：约83MHz（基于访问时间计算）
IS61LV12816-12LQ具有多种优异特性，包括高速访问时间（12ns），能够满足高速数据存储和读取的需求；宽电压范围（2.3V至3.6V）使其兼容多种电源系统，适应不同的应用环境；低功耗设计在高性能操作模式下依然保持较低的能耗，适用于对功耗敏感的应用场景；54引脚LQFP封装提供了良好的封装兼容性和较高的集成度，适合在紧凑型电路设计中使用；该芯片还具备高可靠性和稳定性，能够在-40°C至+85°C的工业级温度范围内正常工作，适用于各种严苛环境条件下的应用。
此外，IS61LV12816-12LQ支持异步操作，具备地址、数据和控制信号的独立控制功能，适用于多种嵌入式系统的存储需求。其高速读写能力、低待机电流和灵活的控制信号使其在工业控制、网络设备、通信模块以及数据采集系统中具有广泛的应用前景。
IS61LV12816-12LQ主要应用于需要高速存储和数据缓存的场合，如路由器、交换机、通信设备、工业控制系统、数据采集模块、嵌入式处理器系统以及各种需要高性能SRAM的电子设备。由于其高稳定性和宽温工作范围，它也常用于工业自动化、车载电子系统和安防监控设备等环境。
IS61LV12816-10LQ, CY62148EVLL-45ZS, IDT71V416SA12PFG
