时间：2025/7/22 14:47:37
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BDV67B是一款N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用，如电源管理、DC-DC转换器和马达控制等。该器件由STMicroelectronics制造，采用先进的制造工艺，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。
类型：N沟道
最大漏极电流（Id）：50A
最大漏-源电压（Vds）：60V
最大栅-源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：约0.018Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220、D2PAK等
最大功率耗散：160W
BDV67B具有多个关键特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻显著降低了导通损耗，提高了整体效率。其次，它具备高电流处理能力，能够承受较大的负载电流，适用于高功率需求的场景。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，确保长期稳定性。其快速开关特性也有助于减少开关损耗，提升动态响应能力。BDV67B的栅极驱动电压范围较宽，支持多种驱动电路设计，增强了其在不同应用中的灵活性。
该器件的封装设计有助于良好的散热性能，TO-220和D2PAK等封装形式均具备较高的热传导能力，使得器件在高功率工作状态下仍能保持较低的温度。此外，BDV67B还具备良好的抗静电能力和过载保护能力，进一步增强了其在复杂电磁环境中的稳定性和可靠性。
BDV67B广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源管理系统（如AC-DC电源、DC-DC转换器）、电动工具和电动车辆的马达驱动电路、工业自动化设备、LED照明驱动电路、电池管理系统（BMS）以及负载开关控制等。其高效能和高可靠性的特点使其成为众多功率电子系统中的理想选择。
IRFZ44N, FDP5N50, STP55NF06
