时间：2025/9/1 9:47:43
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IS61LPS51236B-200TQLI 是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速、低功耗SRAM（静态随机存取存储器）。该芯片具有512K x 36位的存储容量，适用于需要高速访问和低功耗的应用场景。该器件采用同步设计，具有高性能的存取速度，工作电压为2.3V至3.6V，适合在多种工业和通信设备中使用。
容量：512K x 36位
接口类型：并行（36位数据总线）
访问时间：200MHz（最快）
电压范围：2.3V 至 3.6V
封装类型：TQFP（144引脚）
温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
封装尺寸：20mm x 20mm
封装材料：无铅/绿色
IS61LPS51236B-200TQLI 是一款高性能、低功耗的同步SRAM芯片，适用于需要高速存储访问的嵌入式系统和通信设备。该芯片支持高速时钟频率，最高可达200MHz，使得数据存取速度非常快，适用于需要高性能缓冲存储的应用。此外，该芯片的低功耗设计使其在保持高性能的同时也能满足功耗敏感型应用的需求。
该芯片采用CMOS工艺制造，具有良好的抗干扰能力和稳定性。其异步控制信号允许灵活的系统设计，同时支持同步和异步操作模式，能够适应不同的系统架构需求。此外，该芯片具有较宽的电源电压范围（2.3V至3.6V），能够兼容多种电源管理系统，提高了其在不同平台上的适用性。
在封装方面，IS61LPS51236B-200TQLI 采用144引脚TQFP封装，适用于表面贴装工艺（SMT），便于自动化生产和散热设计。其工业级温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在恶劣环境下稳定工作，适用于工业控制、网络设备、测试设备、汽车电子等应用领域。
IS61LPS51236B-200TQLI 广泛应用于需要高速缓存、数据缓冲和实时处理的系统中。例如，它可以作为网络路由器和交换机的数据缓存器，用于提高数据包处理的效率；在工业控制设备中，该芯片可以用于存储实时数据和程序代码；在通信设备中，它可以用作高速缓冲存储器，以提高信号处理的速度和稳定性；此外，该芯片还适用于测试测量设备、医疗电子设备、车载控制系统等高性能嵌入式系统中。
IS61LPS51236B-250TQLI, CY7C1380D-250BZC, IDT71V416SA250BQ
