SH8J65TB 时间：2025/11/7 19:58:40 阅读：10

SH8J65TB是一款由华润微电子推出的高性能高压超级结MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），主要面向高效率电源转换应用。该器件采用先进的超级结技术，能够在保持低导通电阻的同时实现高耐压能力，从而显著提升电源系统的整体能效。SH8J65TB的漏源击穿电压为650V，适用于各类开关模式电源（SMPS）、适配器、充电器、LED驱动电源以及光伏逆变器等工业和消费类电子产品中。其封装形式为TO-220，具备良好的热稳定性和机械可靠性，适合在较宽的工作温度范围内运行。作为一款N沟道增强型功率MOSFET，SH8J65TB具有快速开关特性，能够有效降低开关损耗，提高系统的工作频率，进而减小磁性元件和电容的体积，有助于实现电源的小型化与轻量化设计。此外，该器件还具备优良的抗雪崩能力和抗di/dt能力，提升了在恶劣工作环境下的鲁棒性。由于其优异的电气性能和稳定的制造工艺，SH8J65TB已成为许多中高端电源产品中的优选器件之一。

参数

型号：SH8J65TB
　　制造商：华润微电子
　　器件类型：N沟道增强型MOSFET
　　封装类型：TO-220
　　漏源击穿电压（BVDSS）：650V
　　连续漏极电流（ID @ 25°C）：8A
　　脉冲漏极电流（IDM）：32A
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：3.0V ~ 4.0V
　　导通电阻（RDS(on) @ VGS=10V）：0.75Ω 最大值
　　导通电阻（RDS(on) @ VGS=12V）：0.65Ω 最大值
　　输入电容（Ciss）：1100pF 典型值
　　输出电容（Coss）：380pF 典型值
　　反向传输电容（Crss）：50pF 典型值
　　栅极电荷（Qg @ 10V）：35nC 典型值
　　体二极管反向恢复时间（trr）：45ns 典型值
　　最大工作结温（Tj）：150°C
　　功耗（PD）：50W 典型值

特性

SH8J65TB的核心优势在于其采用的超级结（Super Junction）结构，这种结构通过交替排列P型和N型柱状区域，打破了传统MOSFET中导通电阻与击穿电压之间的线性关系，使得在650V的高耐压下仍能实现极低的导通电阻。这一特性极大降低了器件在导通状态下的功率损耗，尤其适用于高效率要求的应用场景，如80 PLUS钛金/铂金认证的电源系统。其RDS(on)在VGS=10V时仅为0.75Ω，在同类产品中处于领先水平，有助于减少发热并提升系统效率。
　　该器件具备出色的开关性能，输入电容和反向传输电容较低，配合合理的栅极驱动设计，可实现快速且可控的开关过程，有效抑制开关过程中的电压尖峰和电磁干扰（EMI）。同时，其体二极管经过优化设计，具有较短的反向恢复时间（典型值45ns）和较低的反向恢复电荷（Qrr），减少了硬开关条件下因二极管反向恢复引起的能量损耗和电流应力，提升了系统可靠性。
　　SH8J65TB还具备良好的热稳定性，TO-220封装提供了较大的散热面积，便于安装散热片，确保在高负载条件下也能维持安全的工作温度。器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和高压循环测试，保证了长期使用的稳定性。此外，其引脚兼容标准TO-220封装，便于替换传统MOSFET，降低了产品升级的设计难度。

应用

SH8J65TB广泛应用于各类高效率、高功率密度的电源系统中。在消费电子领域，常用于笔记本电脑适配器、手机快充充电器、LCD/OLED电视背光驱动电源等，满足现代设备对小型化和高效能的需求。在工业电源方面，适用于工业控制电源模块、PLC电源单元、通信基站电源以及服务器电源等，提供稳定可靠的直流供电支持。此外，在新能源领域，该器件也被用于太阳能微型逆变器和储能系统的DC-DC变换器中，帮助提升能量转换效率。
　　在LED照明市场，尤其是高功率户外LED灯具和商业照明系统中，SH8J65TB因其高耐压和低损耗特性，成为PFC（功率因数校正）升压电路和主开关管的理想选择，有助于实现高PF值和低THD（总谐波失真）。在空调、洗衣机等白色家电的变频驱动电路中，也可作为辅助电源或初级侧开关使用。由于其具备较强的抗浪涌能力和环境适应性，SH8J65TB同样适用于电网波动较大或工作环境较为恶劣的场合。总体而言，凡是需要650V耐压等级、高效率和高可靠性的开关电源拓扑结构，如反激式（Flyback）、LLC谐振变换器、有源钳位反激（ACF）或PFC升压电路，SH8J65TB均能胜任。