时间：2025/9/1 16:23:45
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IS61LPS51236A-200B3LI是一款高速、低功耗的SRAM（静态随机存取存储器）芯片，由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造。该型号属于异步SRAM类别，具有512K x 36位的存储容量，适用于需要高速数据访问和可靠存储的嵌入式系统、工业控制设备和网络通信设备等应用场景。该芯片采用CMOS工艺制造，具备高性能和低功耗的特点，适用于多种复杂环境。
容量：512K x 36位
电源电压：2.3V 至 3.6V
访问时间：200MHz
封装类型：165-TQFP（薄型四方扁平封装）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据输入/输出方式：异步
功耗（典型值）：待机电流小于10mA
封装引脚数：165
接口类型：并行
IS61LPS51236A-200B3LI具有多个显著的性能特性。首先，其高速访问时间达到200MHz，使得该芯片能够满足高速缓存和实时数据处理的需求。其次，该SRAM芯片采用低功耗CMOS技术，使其在运行和待机状态下均能保持较低的功耗，非常适合电池供电或对能效要求较高的系统。此外，其宽电压范围（2.3V至3.6V）增强了其在不同电源环境下的兼容性。
这款SRAM芯片还具备良好的抗干扰能力，能够在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作，适合用于工业控制、通信设备等严苛环境中。165-TQFP封装形式不仅节省空间，而且便于PCB布线和焊接，适用于高密度电子设计。
IS61LPS51236A-200B3LI提供36位宽的数据总线，支持高速数据吞吐，适合用于高性能嵌入式系统、图像处理、网络交换等需要大带宽的应用。其异步接口设计也简化了与主控处理器或FPGA之间的连接，降低了系统设计复杂度。
该芯片广泛应用于嵌入式系统、工业自动化设备、通信模块、网络路由器、图像处理设备、FPGA缓存、高速数据采集系统等领域。其高速、低功耗和宽温特性使其特别适合工业控制和车载电子系统。
IS61LPS51236A-200B3I、IS61LPS51236A-250B3LI、CY7C1380D-200BZXC、IDT71V416SA200BG
