时间：2025/8/6 5:55:24
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IXGA15N100C 是由 IXYS 公司生产的一款高电压、高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率和高可靠性的电源系统中。该器件具有1000V的漏源击穿电压（Vds）和15A的连续漏极电流（Id），适合用于高压直流电源转换、逆变器、电机驱动和工业电源等应用。IXGA15N100C 采用了先进的平面 MOSFET 技术，具备较低的导通电阻和出色的开关性能。
型号：IXGA15N100C
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：1000V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）@25°C：15A
导通电阻（Rds(on)）：0.58Ω（典型值）
功耗（Ptot）：200W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-247
引脚数：3
极性：N 沟道
IXGA15N100C 的主要特性之一是其高达1000V的漏源击穿电压，使其适用于高压电源转换和工业控制系统。该器件的导通电阻较低，典型值为0.58Ω，有助于降低导通损耗并提高系统效率。此外，IXGA15N100C 具有良好的热稳定性和高功率耗散能力，最大功耗可达200W，适合在高温环境下工作。
该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，兼容标准的MOSFET驱动电路，简化了设计流程。其快速开关特性可以减少开关损耗，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、AC-DC电源和电机控制电路。
IXGA15N100C 采用 TO-247 封装，具有良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。其封装结构也便于安装在散热器上，进一步提升热管理效率。该器件的可靠性高，符合工业级温度范围要求（-55°C 至 +150°C），可在严苛环境中稳定工作。
此外，IXGA15N100C 还具备良好的短路耐受能力，能够在突发的高电流情况下保持稳定运行，从而提升系统的整体安全性和可靠性。
IXGA15N100C 广泛应用于多种高压和高功率电子系统中，例如高压直流电源、逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、工业自动化设备、开关电源（SMPS）以及LED照明驱动电路。由于其高耐压和大电流能力，该器件特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源转换系统。
在电源管理领域，IXGA15N100C 常被用于AC-DC转换器、DC-DC转换器和PFC（功率因数校正）电路，以提升电源效率并减少能耗。在电机控制应用中，该MOSFET可作为功率开关元件，用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机，实现高效、稳定的电机控制。
此外，IXGA15N100C 也可用于太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块，确保系统在高压环境下稳定运行。由于其良好的热管理和高可靠性，该器件还适用于车载电子系统、智能电网设备和工业测试仪器中的高压电源模块。
IXGA15N100T, IXFH15N100P, IXFH15N100Q, STW15NK100Z, FGH15N100S
