时间：2025/12/28 18:37:25
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IS61LPS25672A 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速、低功耗的静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件采用先进的CMOS工艺制造，具有高性能和低功耗的特点，适用于对速度和功耗有较高要求的应用场景。IS61LPS25672A 的存储容量为 256K x 72 位，属于高速同步管道式SRAM（Sync Pipe）类型，广泛应用于网络设备、通信系统、工业控制和高性能计算等领域。
容量：256K x 72 位
电压：2.3V - 3.6V
访问时间：10ns / 12ns / 15ns / 20ns 可选
封装类型：165-TQFP
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
数据总线宽度：72 位
封装尺寸：24mm x 24mm
时钟频率：最大可达 100MHz（根据速度等级）
IS61LPS25672A 是一款同步管道式SRAM，采用先进的CMOS技术制造，具有高速和低功耗的双重优势。其同步设计使得数据读写与系统时钟同步，提高了系统的稳定性与效率。该芯片支持突发访问模式，可以连续访问多个地址的数据，提升整体访问速度。其管道式架构允许在前一个读取操作尚未完成时就开始下一个地址的访问，从而显著提高数据吞吐率。该器件的电压范围为2.3V至3.6V，支持宽电压供电，增强了其在不同系统环境下的兼容性。此外，该芯片具备低待机电流特性，在系统不活跃时可显著降低功耗，适合低功耗应用场景。其165-TQFP封装提供了良好的散热性能和空间节省，适用于紧凑型电路设计。IS61LPS25672A 还具有高抗干扰能力，确保在复杂电磁环境下稳定工作。
在可靠性方面，该芯片通过了严格的工业级温度测试，可在-40°C至+85°C的宽温度范围内稳定运行，适用于各种严苛的工作环境。其高速访问时间（最快可达10ns）使其成为需要快速数据存取应用的理想选择。同时，该器件采用CMOS工艺，具备良好的抗噪能力和高稳定性，适用于高性能网络交换设备、工业控制系统、嵌入式系统以及高端消费类电子产品。
IS61LPS25672A 主要应用于需要高速缓存和低功耗存储的系统中。例如，它可以作为高速网络设备中的数据缓冲存储器，用于提升数据包处理效率；在工业控制系统中，该芯片可用于实时数据存储与快速访问；在嵌入式系统中，它可作为主控芯片的扩展缓存，提高系统响应速度；在通信设备中，如基站、路由器和交换机，该SRAM可用于临时存储控制指令和运行时数据。此外，该芯片也可用于测试测量设备、医疗电子设备和高端消费类电子产品中，以满足对性能和稳定性的高要求。
IS61LPS25680A, IS61LPS25636A, CY7C1370E, IDT71V416
