时间：2025/9/1 11:32:58
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IS61LPS25636A-200TQLI-TR 是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的高速、低功耗的SRAM（静态随机存取存储器）芯片。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，具有高性能和低功耗的特点，适用于各种需要高速数据存取的应用场合。其存储容量为256K x 36位，工作频率高达200MHz，适用于通信、工业控制、网络设备和嵌入式系统等高要求的应用环境。
存储容量：256K x 36位
电源电压：2.3V - 3.6V
最大工作频率：200MHz
访问时间：5.4ns
封装类型：165-TQFP
工作温度范围：-40°C至+85°C
接口类型：异步
功耗：典型值为180mA（待机模式下仅为10mA）
IS61LPS25636A-200TQLI-TR 的主要特性之一是其高速访问能力，访问时间仅为5.4ns，这使得它能够满足高性能系统对数据处理速度的要求。该SRAM芯片采用低功耗设计，在待机模式下的电流消耗非常低，适合对功耗敏感的应用场景。该芯片支持异步接口，兼容多种处理器和控制器的接口标准，方便系统集成。
此外，IS61LPS25636A-200TQLI-TR 采用了先进的CMOS工艺，提高了芯片的稳定性和可靠性，能够在-40°C至+85°C的工业级温度范围内正常工作。其封装形式为165-TQFP，具有良好的热性能和空间利用率，适合在高密度PCB设计中使用。
这款SRAM芯片还具备自动省电模式和待机模式，能够根据系统需求自动切换，从而进一步降低功耗。这种灵活性使其在电池供电设备和便携式电子设备中表现出色。
IS61LPS25636A-200TQLI-TR 广泛应用于需要高速缓存和临时数据存储的系统中，例如路由器、交换机、工业控制器、医疗设备、通信设备以及高性能嵌入式系统。其高可靠性和低功耗特性也使其适用于恶劣环境下的工业自动化设备和远程监测系统。在需要快速响应和大量数据处理能力的场景中，如视频处理、图像缓存和网络数据包缓冲，该芯片同样表现出色。
IS61LPS25636A-200TQ
