时间：2025/9/1 8:52:01
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IS61LPS12836A-200B2I是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速、低功耗的SRAM（静态随机存取存储器）芯片。该芯片采用先进的CMOS技术制造，具有高性能和低功耗的特点，适用于需要高速数据存储和访问的应用场景。IS61LPS12836A-200B2I的存储容量为128K x 36位，属于同步SRAM类别，支持高速数据传输和并行访问。
容量：128K x 36位
电源电压：2.3V - 3.6V
访问时间：200MHz
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：209-TSOP
接口类型：并行
功耗：典型值180mA（待机模式下小于10mA）
数据保持电压：2.0V
时钟频率：200MHz
输入/输出电平：LVTTL兼容
IS61LPS12836A-200B2I SRAM芯片具备多项优异特性，使其在高性能嵌入式系统中表现突出。首先，其采用CMOS技术，显著降低了功耗，即使在高速运行状态下也能保持较低的能耗。该芯片支持200MHz的工作频率，能够满足高速数据处理的需求，适用于网络设备、工业控制和通信系统等应用场景。
其次，该芯片的209-TSOP封装形式不仅节省空间，而且具有良好的散热性能，适合在高密度电路板上使用。其工作温度范围为-40°C至+85°C，能够在恶劣的工业环境中稳定运行，确保系统的可靠性和稳定性。
此外，IS61LPS12836A-200B2I支持LVTTL输入/输出电平，兼容多种主控芯片的接口标准，简化了电路设计和集成过程。其数据保持电压低至2.0V，在系统断电或进入低功耗模式时，仍能确保数据的完整性。
该芯片还提供高可靠性的数据存储解决方案，无须刷新机制，避免了DRAM的复杂控制逻辑。其并行接口设计允许快速的数据访问，适用于需要高吞吐量的应用场景，如高速缓存、数据缓冲等。
IS61LPS12836A-200B2I广泛应用于各种高性能电子设备中。其高速和低功耗特性使其成为网络路由器、交换机和通信设备的理想选择。在这些设备中，该SRAM芯片可以作为高速缓存或临时数据存储单元，显著提升数据处理效率。
此外，该芯片也适用于工业控制和自动化系统，如PLC（可编程逻辑控制器）和嵌入式计算机。在这些系统中，IS61LPS12836A-200B2I可以作为主存储器或辅助存储器，支持快速的数据读写操作，确保系统的实时性和稳定性。
在消费类电子产品中，例如高端游戏机、多媒体播放器和智能家电，该SRAM芯片也可用于提高系统性能和响应速度。由于其宽温度范围和高可靠性，它在汽车电子系统（如车载信息娱乐系统和驾驶辅助系统）中也有广泛应用。
CY7C1380D-200BZXI, IDT71V416SA200BGI
